晶闸管导通※门极触发.PPT

3、晶闸管的门极特性与门极参数的计算 1）晶闸管的触发方式 触发方式 门极触发 P门极 N门极 结型门极 远隔门极 其它 过电压触发 dv/dt触发 光触发 热触发 ※门极触发——P门极 由于IG存在，使IA增大，进而使α1和α2增大，随之IA又增大，又促进α1和α2增大，形成正反馈过程，当IG大到能够使α1＋α2＞1时，晶闸管导通。 ※门极触发——N门极 N门极的触发导通机理与P门极相似，只是触发灵敏度不同。 IA ※门极触发——结型门极 在P2区的一部分形成一个高掺杂浓度的N3区，形成J4结，并引出一个电极，如图所示，这就是结型门极。 对于正向阻断状态的晶闸管，门极加上一个相对阴极K为负的触发信号电压VG，则J4结正偏，J3结反偏。门极电流IG从K极经N2区、J3结、P2区、J4结流向门极。设N3P2N1晶体管的电流放大系数为α3，则由K极注入的门极电流IG经J4结通过P2区到达J2结被掠入N1区后变成了α3IG，这时触发电流触发了小晶闸管P1N1P2N3，当达到导通条件α1＋α3＞1时，晶闸管P1N1P2N3导通，产生一个强电场E，其方向如图所示，P2区中的载流子在该电场的作用下做漂移运动，形成主晶闸管的触发电流，使主晶闸管导通。 J4 J3 ※门极触发——远隔门极 在靠近阳极附近P1区上制作已N4区，并行成J5结。这就是远隔门极 当门极加相对阳极A为负电压信号VG时，J5结正偏，当正偏J5结两边的电压大于开启电压0.6V时，则J5结开始注入电子电流IG到P1区，到达正偏J1结处有α4IG（α4为N4P1N1晶体管的电流放大系数）。这部分电子在J1结附近N1侧积累而降低J1结附近N1侧的电位。电中性要求阳极将在同样的时间内注入相同量的空穴电流α4IG，到达J2结时，α4IG电流又被放大到α1(α4IG)而被反偏J2结很快掠过空间电荷区进入P2区，通过J2结的电流(α1α4IG+I0)使得(α1 +α )＞1时，器件开始触发导通 。 ※过电压触发 反偏PN结的雪崩倍增因子随电压的增加而增加，当电压增加至接近该PN结的雪崩击穿电压时，就产生雪崩倍增效应，这使得通过晶闸管的电流开始增加，当电流增加使得(α1 +α2)＞1时晶闸管就导通了。一般保护开关器件常用过电压触发，而大功率三端晶闸管则要尽量避免这种触发。 ※dv/dt触发 由于电压上升速度较快而使晶闸管在电压幅值比转折电压低的多的情况下导致晶闸管开通，被称为dv/dt触发。 (α1 +α2)＞1 晶闸管导通 ※光触发 光触发是利用注入到半导体中的光子与电子相互作用被吸收，当光子的能量hν大于或等于单晶硅的禁带宽度Eg或硅中杂质电离能Ei时，将产生电子－空穴对，这就相当于注入了门极电流IG，于是晶闸管导通。 ※热触发 温度上升将使晶闸管的漏电流增大，当漏电流达到(α1 +α2)＞1时，晶闸管开通，这是我们不希望的，但可利用该触发方式制造温控晶闸管。 2）晶闸管的门极参数 门极触发电流IGT： 在室温下，主电压为6V时，使器件能安全开通所必须的最小门极电流。 门极触发电压VGT 对应于门极触发电流的门极一阴极间的电压 门极不触发电流IGD 在额定结温下，主电压为断态重复峰值电压时，保持器件断态 所能加的最大门极直流电流称为门极不触发电流。 门极不触发电压VGD 对应于门极不触发电流的门极直流电压 3）门极触发电流、触发电压的计算 ★中心门极触发电流、电压计算公式 ☆触发导通机理：处于断态的晶闸管，门极相对阴极为正时，门极注入电流流经P2区并被阴极短路点收集。这个横向流动的门极电流沿N2区下面的P2区中产生横向压降，使N2发射极正向偏置。当这个正向偏置超过一临界值VK时(一般可视为J3结的开启电压)，就会出现足够大的注入而使晶闸管开通。 ☆门极触发参数的计算： 门极触发参 数的计算 横向等效电阻的计算 横向等效电阻公式的推导 r1 r0 WP2 4）中心放大门极触发电流、电压计算公式 ☆触发导通机理： 门极和阴极之间的小晶闸管被称之为放大门极，其电极是悬空的。在触发时，触发信号首先将放大门极触发，然后放大门极晶闸管的通态电流作为主晶闸管的触发电流。因为通态电流较触发电流大很多倍，所以称为放大门极。 放大门极等效电路 ☆放大门极起作用的条件： IGT(T)＜IGT(M)，即 ☆中心放大门极触发 电流、电压计算公式 5）不触发参数的计算 中心门极 不触发参数 中心放大门极 不触发参数 （在正向阻断电压下，Wp2应换成Wep2）