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第9章 气、湿敏传感器 ( 气敏湿敏传感器是利用物质的物理效应和化学效应对气体中的某些成 ( 检测气体的成分或水汽的湿度，用得最多的是半导体气敏传感器和半导体湿敏传感 9.1 气敏传感器9.1.1 半导体气敏元件的分类及必备条件利用半导体与某些气体接触时，其特性发生变化这一按照其与气体的相互作用主要是局限于半导体表面还是涉及到内部分。电阻式半导体气敏元件是利用半导体接触到气体时其阻值的改变来检测气体的浓度； ( 气敏元件至少都必须具备如下条件： 对气体的敏感现象是可逆的 ② 单位浓度的信号变化量大 ③ 能检测出的下限浓度低 ④ 响应重复特性良好 ⑤ 选择性好，即对与被测气体共存的其它气体不敏感 ⑥ 对周围环境(如温度、湿度)的依赖性小 ⑦ 性能长期稳定，结构比较简单。9.1.2 表面控制型电阻式半导体气敏元件 这种类型的气敏元件是利用半导体表面因吸附气体引起电阻阻值变化的元件，主要用于检测数采用氧化锡和氧化锌等较难还原的氧化物。为提高气体的选择性，一般都掺有少量的贵金属(如铂等)作催化剂。 1．结构 通常主要三部分组成： ① 气体敏感元件 ② 对敏感元件进行加热的加热器 ③ 支持上述部件的封装部分。多孔质烧结体型气敏元件烧结型气敏元件是以多孔质陶瓷为基材(粒度在1m以下)，添加不同物质，300℃左右，按其加热方式又可分为直直热式气敏元件直热式元件又称内热式，这种元件的结构示意图如图10一18基体材料、加基材内。 图直热式气敏元件结构不意图及图形行号 a)结构示意图b)图形符号 元件的优点是：制作工艺简单、成本低、功耗小，可以在高回路电压下使用、QN型和MQ型气敏元件，日本弗加罗TGS10 直热式气敏元件的缺点是，热容量小，易受环境气流的影响；测量回路与加热回路间巷旁热式气敏元件结构示意图如图所示。其管芯增加了一个材料。 结构克服了直热式的缺点，其测量极与加热丝分开，加热丝不与气敏元件接触，QM—N5型气敏元件，日本弗加罗TGS812、813型气敏元件均采用这种结构。 旁热式气敏元件结构示意图及图形符号 结构示意图b)图形符号 图91 某气敏传感器的整体结构 气敏元件有三种结构类型——烧结体型、薄膜型和厚膜型(a)多孔质烧结体型气敏元件 是把电极和元件加热用的加热器埋入金属氧化物中，添加Al等催化剂和粘结剂，通电加热或加压成型后再低温烧结而成。这类元件的性能一致性较差。(b)薄膜型气敏元件 这类元件是在绝缘衬底(如石英基片)上蒸发或溅射上一层氧化物半导体薄膜(厚度小于几微米)制(c)厚膜型气敏元件 一般是把半导体氧化物粉末、丝网印刷到基片上制成的，其灵敏度与烧结体型的相当，工艺性、机械强度和性能的一致性都很好。 基本测试电路 烧结型气敏元件基本测试电路如图所示。图a为采用直流电压测试旁热式气b、c采用交流电压测试旁热式和直热式气敏元件电路。无论哪种电路，都必须为例，说明其测试原理。图a中，O～10V直流稳压电源与元件加热器组成加热回路，稳压电源供给器件加热：0～20V直流稳压电源与气敏元件及负载电阻组成测试回路，直流稳压电源供给测，负兼作取样电阻。从测量回路可得到 ——回路电流； 负载电阻上的压降。 图气敏元件基本测试电路 a)QM-N5测试电路b)TGS812测试电路c)TGSl09测试电路2．工作原理 当气体吸附到半导体气敏元件表面时，元件的电阻发生变化。即气敏元(物理吸附)，失去其运动能量。一部分气体分子被蒸发；另一部分残留分子产(化学吸附)。功函数：标志着电如果N型半导体的功函数大于气体(带正电)。供给半导体的电子将束缚半导体本身的自由电荷中的少数电荷——空穴。因此，在、CO、碳氢化合物和酒类等。、工作原理流程 图93 工作原理流程解释 图94示出了气体接触到N型半导体时所引起的元件阻值变化情况由于空气中的(如电桥电路)就可测出其浓度。 对于P型半导体气敏元件，情况则相反，氧化性气体使其电阻减小，还原性气体使其 图94 N型半导体吸附气体时的元件阻值变化情况 3．元件材料 1)氧化锡(Sn02)系 SnO是具有比较高的电导率的N型金属氧化物半导体。氧化锡系多孔质烧结体型700～900℃下 元件中添加了铂(Pt)和钯(Pd)等作为催化剂，以提高其灵敏度与气体识别能力(选择)。添加剂的成分与含量、元件的烧结温度和工作温度将影响元件的选择性。如在同一1.5％(重量)Pd的元件对C最灵敏，含O2％(重量)Pd时，对CH。最Pt的气敏元件，在200℃以下检测CO最好而在300℃检测丙烷、在400℃以上检测甲烷最佳。 厚膜型Sn02气敏元件，添加了Th02，提高