UHVCVD硅锗膜的Raman光谱分析3.PDFVIP

第2 1 卷 , 第4 期 　　 　　　　　光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vol 21 ,No 4 ,pp464467 2 0 0 1 年 8 月 　　　　　　 　 August , 2001 　 Spectroscopy and Spectral Analysis UHV/ CVD 硅锗膜的 Raman 光谱分析 朱培喻 　　陈培毅 　　黎 　晨 　　罗广礼 　　贾宏勇 　　刘志农 　　钱佩信 清华大学微电子学研究所 ,100084 　北京 摘 　要 　本文提出一种用 Raman 光谱测量 SiGe 合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这 一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的 SiGe 合金样品 ,它们都是用 UHV/ CVD 设备生长的。其中两个样品 还与 X射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这 - 1 些样品用于制作 SiGe/ Si 异质结 PMOSFET ,对 05 μ 。 m 沟长器件 ,跨导达 112 ms ·mm 主题词 　Raman 测量 , 　SiGe 合金 , 　弛豫 , 　应变 及新的器件工作原理是提高器件和电路性能的另一途径。 引 　　言 SiGe 合金技术是近年发展起来的新一代硅基材料。SiGe 合 金 ,可用改变锗组分及膜应变的方法调整材料的禁带宽度 ,根 　　当前半导体集成电路发展的基本途径之一是随着器件尺 据需要设计材料参数 , 以其独有的优良的异质结特性和优于 寸的不断缩小 ,芯片的集成度不断提高 , 电路性能不断增强, Si 的载流子输运特性 ,吸引了国内外众多研究者的关注。因 但是这种莫尔定律描述的半导体集成电路发展模式正面临物 其工艺与 Si 工艺基本兼容 ,适合制作低成本高性能的半导体 理及工艺极限的考验。寻找新的半导体材料 ,新的器件结构 集成电路 ,故在实用中有很强的竞争能力。 ( ) ( ) a 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 b Fig1 　Raman spectra in SiGe films 　　为了获得所需性能的 SiGe/ Si 异质结材料 ,锗组分的控制 DCXRD 同时确定锗组分和膜应变和弛豫度 ,必须至少二次测 是至关重要的。此外由于 Si 和 SiGe 之间的晶格失配 ,SiGe 合 量。 金的晶格常数大于硅 ,在生长面 ,膜受到双轴应力的作用 ,薄 的 SiGe 膜一般处于压缩应变状况。Raman 方法是确定 Si/ 1 　用 Raman 测量 SiGe 膜中锗组分及应变方 SiGe 异质结材料中锗组分和