半导体器件物理教学大纲.doc

《》教学大课程编码： 学时数： 课程性质目的和要求 二、教学内容、要点和课时安排 ’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势分布、内建电势差和空间电荷区宽度 （利用耗尽近似） 第二节 加偏压的结 一、画出热平衡和正、反偏压下PN结的能带图，定性说明PN结的单向导电性 二、导出空间电荷区边界处少子的边界条件，解释PN结的正向注入和反向抽取现象 第三节 理想结的直流电流-电压特性 一、解扩散方程导出理想PN结稳态少子分布表达式，电流分布表达式，电流－电压关系 二、说明理想PN结中反向电流产生的机制（扩散区内热产生载流子电流） 第四节 空间电荷区的复合电流和产生电流 一、复合电流 二、产生电流 第五节 隧道电流 一、隧道电流产生的条件 二、隧道二极管的基本性质（多媒体演示 Fig2.12）） 三、阶跃恢复二极管基本理论 第十节 P-Ｎ结击穿 一、PN结击穿 二、两种击穿机制，PN结雪崩击穿基本理论的推导 三、计算机辅助计算例题2－3及相关习题 第三章 双极结型晶体管（10学时） 第一节双极结型晶体管的结构 一、了解晶体管发展的历史过程 二、BJT的基本结构和工艺过程（多媒体 图3.1）））方程 一、四种工作模式下少子浓度边界条件及少子分布 二、E-M模型等效电路 三、E-M方程推导 第五节 缓变基区晶体管 一、 基区杂质浓度梯度引起的内建电场及对载流子的漂移作用 二、少子浓度推导 三、电流推导 四、基区输运因子推导 第六节 基区扩展电阻和电流集聚 一、基区扩展电阻 二、电流集聚效应 第七节 基区宽度调变效应 一、基区宽度调变效应 （EARLY效应） 二、hFE和ICE0的改变 第八节 晶体管的频率响应 一、基本概念：小信号共基极与共射极电流增益（，hfe）ɑ ,W?）型等效电路 一、参数：gm 、gbe 、CD 的推导 二、等效电路图（图3－23） 三、证明公式（3－85）、（3－86） 第十节 晶体管的开关特性 一、开关作用 二、影响开关时间的四个主要因素：td 、tr 、tf 、tsts 第十一节 击穿电压 一、两种击穿机制 二、计算机辅助计算：习题 阅读 §3.12 、§3.13 、§3.14）电容器 一、基本假设 二、C～V特性：积累区，平带情况，耗尽区，反型区 三、沟道电导与阈值电压：定义 公式（6－53）和（6－55）的推导 第三节 沟道电导与阈值电压 一、定义 二、公式（6－53）和（6－55）的推导 第四节 实际MOS的电容—电压特性 一、 M-S功函数差引起的能带弯曲以及相应的平带电压，考虑到M-S功函数差， MOS结构的能带图的画法 二、平带电压的概念 三、界面电荷与氧化层内电荷引起的能带弯曲以及相应的平带电压 四、 四种电荷以及特性平带电压的计算 五、实际MOS的阈值电压和C～V曲线 第五节 场效应晶体管 一、基本结构和工作原理 二、静态特性 第六节 等效电路和频率响应 一、参数：gd gm rd 二、等效电路 三、截止频率 第七节 亚阈值区 一、亚阈值概念 二、MOSFET的亚阈值概念 第九节 MOS场效应晶体管的类型 一、 N—沟增强型 N—沟耗尽型 二、 P—沟增强型 P—沟耗尽型 第十节 器件尺寸比例 MOSFET制造工艺 一、P沟道工艺 二、N沟道工艺 三、硅栅工艺 四、离子注入工艺 第七章 太阳电池和光电二极管（6学时） 第一节半导体中光吸收 一、两种光吸收过程 二、吸收系数 三、吸收限 第二节 PN结的光生伏打效应 一、利用能带分析光电转换的物理过程（多媒体演示） 二、光生电动势，开路电压，短路电流，光生电流（光电流） 第三节 太阳电池的I-V特性 一、理想太阳电池的等效电路 二、根据等效电路写出I-V公式，I-V曲线图（比较：根据电流分量写出I-V公式） 三、实际太阳能电池的等效电路 四、根据实际电池的等效电路写出I-V公式 五、RS对I-V特性的影响 第四节 太阳电池的效率 一、计算 Vmp Imp Pm 二、效率的概念 第五节 光产生电流和收集效率 一、“P在N上”结构，光照，少子满足的扩散方程 二、例1－1，求少子分布，电流分布 三、计算光子收集效率： 讨论：波长长短对吸收系数的影响 少子扩散长度和吸收系数对收集效率的影响 理解Fig7-9,Fig7-10所反映的物理意义 第六节 提高太阳能电池效率的考虑 一、光谱考虑 (多媒体演示) 二、最大功率考虑 三、串联电阻考虑 四、表面反射的影响 五、聚光作用 第七节 肖特基势垒和太阳电池 一、基本结构和能带图 二、工作原理和特点 阅读 §7.8 第九节 光电二极管 一、基本工作原理 二、P-I-N光电二极管 三、雪崩光电二极管 四、金属－半导体光电二极管 第十节 光电二极管的