【精选】半Ch-10 半导体中的载流子的统计分布.pdfVIP

福州大学《固体物理及半导体物理》教案 2011-2012 学年下学期 第十章 半导体中载流子的统计分布 一、 教学基本要求 相关性：第九章引出的半导体中的杂质和缺陷的概念，是本章介绍的半导体 中的载流子统计分布的基础。本章通过介绍本征半导体、杂质半导体、简并半导体 中的载流子浓度随温度的变化，为第十一章学习半导体的导电性打下基础。 基本要求：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子 浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体。 内容重点：掌握半导体中载流子在一般情况下的统计分布。 学习难点：载流子统计分布。 预习知识：自由电子费米气、半导体中的电子状态、半导体中的杂质和缺陷。 工程应用：半导体制造工艺中对 III-V 族元素的掺杂浓度的控制；半导体器件 的正常工作温度区间。 实验：无。 二、 授课安排 学时安排： 总学时：7 编号 教学内容 学时 1 状态密度；费米能级和载流子的统计分布； 2 2 本征半导体的载流子浓度。 1 3 杂质半导体的载流子浓度。 2 4 一般情况下的载流子统计分布； 1 5 简并半导体。 1 - 1 - Revised time: 2012-05-08 制作人：微电子学系王少昊 福州大学《固体物理及半导体物理》教案 2011-2012 学年下学期 三、 教学内容 §10-1. 状态密度 1. 半导体导带底附近的态密度 设极值点k =0 ，E(k)为球形等能面，在导带底 0 2 2 2 2 2 2 E (k ) Ec * k * (kx k y kz ) ， 2m 2m n n 1/2 2m * E(k) E   n c  由上式求得，球形等能面的半径k 为k  2  ，球所占的 k 空间的    