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三项正弦变频电源
摘 要. 本设计采用可调直流电平与三角波比较输出PWM波,控制功率开关管HUF75652G3,与铁氧体电感构成BOOST拓扑DC-DC升压主回路。采用C8051F020单片机作为主控制器, ...07年全国大学生电子设计竞赛电子科技大学成都学院获奖队伍论文
开关稳压电源(E题)
摘 要
本设计采用可调直流电平与三角波比较输出PWM波,控制功率开关管HUF75652G3,与铁氧体电感构成BOOST拓扑DC-DCPWM产生,BOOST, C8051F020BOOST型DC-DC升压方式,如图1。使用单开关管,能降低开关管损耗,且控制容易,电路较为简洁,但在功率较高的情况下,电感设计要求较高,经验成分多,设计不好会造成过大的冲击电流,影响效率也容易使开关管损坏。
图1 BOOST升压
方案选择:根据题目要求,最大功率为70W,属于中小功率范围,可以不采用隔离变压器,故折衷考虑,采用较为简洁的方案二。
1.2 控制方案
1.2.1 DC-DC模块控制方案
方案一:采用集成的开关电源控制芯片,外围器件少,PWM波形精确,性能良好,但由于集成度高,功能较为固定,扩展性不强。
方案二:采用可调电平与可调三角波比较的方式产生PWM波,模块元件较多,但调节范围宽,可移植性好,扩展能力强,与单片机搭配,对系统的控制更为方便。
方案选择:题目要求苛刻,需要宽范围调节,故选方案二,较为灵活。
1.2.2 反馈控制方案
方案一:采用硬件反馈的方式。采样电压与基准在误差放大器中比较,产生直流电平改善输出PWM波的占空比以稳定输出电压,电路简单,容易实现,但由于硬件反馈灵敏,容易造成环路增益的不稳定,产生自激,输出纹波变大,效率下降。试验后发现,要想精确控制,调节困难。
方案二: 采用软件反馈的模式。单片机对输出电压采样,与设定电压对比后,由DA输出控制电平调节PWM波,对输出电压进行控制,还可进行电流采样,实现过流保护与输出电压电流显示。此方案需要大量的软件调试,但反馈稳定,不会造成系统自激。缺点是反馈调节速度较慢。
方案选择:根据题目要求,硬件反馈容易自激,可能会带来效率的下降与系统的不稳定,权衡下选用方案二。
1.2.3 数字控制方案
方案一:采用通用89S52单片机作为系统的控制核心。因为其通用性,很容易找到相关资料,使用容易,但其处理速度不够快,且需要外加AD、DA,增加系统功耗,并会增加不稳定性。
方案二:采用8051内核的单片机C8051F020,编程容易,速度快,片内内带AD、DA,可以轻松完成对输出电压,电流的检测,并与电源管理模块搭配控制输出电压的步进,完成对系统的过流保护与重启。
方案选择:从高效,稳定,简洁的角度出发,我们选用方案二。
1.3 提高效率的方法
方案一:对MOSFET采用
图2 主回路框图
2.1.1 器件的选取
MOSFET是开关电源里的核心器件,为了达到效率的要求,应尽量选取导通电阻小,漏极开关时间短的器件。折衷考虑,我们选择HUF75652G3,其主要参数为VDSS =100V,ID = 75A,RDS =8m,Qg =341nC,满足题目要求。
续流二极管的选取也比较严格,肖特基导通压降小,损耗小,是理想的选择,但系统中不排除会有高于100V的冲击电压出现,这样就会发生击穿,故我们选取大功率快速恢复二极管RYRG8060作为我们的续流二极管,其主要参数为:trr=85ns,IF(AV)=80A,VRRM=600V,VF=0.9V,满足要求。
储能电感是BOOST升压拓扑的心脏,对感量,磁芯的选取都有严格的要求,设计中采用PQ3230铁氧体磁芯,PQ型具有最佳的体积与辐射表面和线圈窗口面积之比。因磁芯损耗正比于磁芯体积,而散热能力正比于辐射表面,这些磁芯在给定输出功率下具有最小的温升,对提升效率大有好处,且EMI较小。还便于绕制。
2.1.2 电路设计与主要参数计算
根据开关管导通时间与经验判断,选择40K的开关频率,这样开关损耗不会很大,纹波不会很大,储能电感感量适中。根据题目条件,
(1)
设计输出额定电流为2A,则根据BOOST电路原理易知流过电感器平均电流IL为3.39A,根据公式(2),使系统在输出电流40%IL以上时保持电流连续模式,设二极管及后级滤波电感上压降为1V,以输入为21V时,计算储能电感如下:
=151uH (2)
取30uH余量,电感实取值为181uH。采用频率特性好的铁氧体PQ3230绕制,使用线径为0.51mm的漆包线三股并绕,满两层后磨磁隙至181uH。
下面讨论PWM发生模块的设计。原理框图如图3所示,具体电路见附件。
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