太阳能电池方阵及容量计算.doc

太阳能电池方阵及容量计算 5.1太阳能电池 太阳能电池是一种近年发展起来的新型的电池。太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件，太阳光照在半导体p—n结上，形成新的空穴—电子对。在p—n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应”，因此太阳能电池又称为“光伏电池”制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种，因此太阳电池的种类也很多。太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄式和非结晶系膜式(以下表示为a-)两大类，而前者又分为单结晶形和多结晶形。按材料可分硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机薄膜形，百化合物半导体薄膜形又分为 非结晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、V族(GaAs,InP)、族(cds系)和磷化锌(Zn3P2)等。目前，技术最成熟，并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。太阳电池是一种对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅， 非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。用于太阳能电池的半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的特殊物质，和任何物质的原子一样，半导体的原子也是由带正电的原子核和带负电的电子组成，半导体硅原子的外层有4个电子，按固定轨道围绕原子核转动。当受到外来能量的作用时，这些电子就会脱离轨道而成为自由电子，并在原来的位置上留下一个“空穴”，在纯净的硅晶体中，自由电子和空穴的数目是相等的。如果在硅晶体中掺入硼、 图5-1 镓等元素，由于这些元素能够俘获电子，它就成了空穴型半导体，通常用符号P表示；如果掺入能够释放电子的磷、砷等元素，它就成了电子型半导体，以符号N代表。若把这两种半导体结合，交界面便形成一个P－N结。太阳能电池的奥妙就在这个“结”上，P－N结就像一堵墙，阻碍着电子和空穴的移动。当太阳能电池受到阳光照射时，电子接受光能，向N型区移动，使N型区带负电，同时空穴向P型区移动，使P型区带正电。这样，在P－N结两端便产生了电动势，也就是通常所说的电压。这种现象就是上面所说的“光生伏打效应”。如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线，接通负载，则外电路便有电流通过，如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。如图所示。Array）是由许多小单位的太阳能电池组件经由并联或是串联组合所组成：组件串联组合可以提高太阳光电能发电系统的最高输出直流电压；组件并联组合可以提高太阳光电能发电系统的最高输出直流电流，而串联或并联组件可以交替使用以便得到期望的输出直流电压或直流电流值。为了减小周围环境因素的影响，就在每一个组件并联一个旁路二极管（Bypass Diode），如图5-2所示，如此便可提供每一组件一个能量散逸的低阻抗路径，克服了多个组件连接时的问题。 图5-2 太阳能电池模块的连接方式 在白天时太阳能电池会对蓄电池组进行充电的工作，若是太阳能电池在夜晚时或没有足够亮光时，其输出电压会低于蓄电池电压。此时，太阳能电池的特性表现就如同一般的二极管，而如蓄电池组有放电工作的话，电流将会从蓄电池倒流入太阳能电池，造成太阳能电池的损坏。为防止此发生，其最简单解决方式便是在太阳能电池与蓄电池组之间加入一阻塞二极管（Blocking Diode），如图5-2所示。 5.4.2太阳能电池方阵最大功率点 在发电效率上，由于正常操作条件下，太阳能电池的输出电压与电流变化中，似乎输出电流对输出功率的影响程度会较大，加上影响开路电压的因素除了Rsh外还包括二极管的电流值，因此Rs对太阳能电池发电效率影响较为明显，而Rsh的影响则比较不明显。 画出太阳能电池的Ipv-Vpv及Vpv-Ppv等特性曲线，如图5-3所示，由图可知太阳能电池的输出曲线为非线性且为温度与日照强度的函数，每一条曲线中各点所能画出的最大矩形面积则是Ipv与Vpv的最大乘积值称为最大功率点，定义为Pmax，为在该日照强度下，它所能输出功率的最大值。 图5-3 太阳能电池的输出特性 5.5太阳能组件选型及计算 5.5.1太阳能电池方阵的选型 太阳能电池主要功能在將光能转换成电能，这个现象称之为光伏效应。在太阳光充足日照好的东西部地区，采用多晶硅太阳能电池为好，因多晶硅太阳能电池生产工艺相对简单，价格比单晶低。转换效率在近几年不断提高。在阴雨天比较多阳光相对不是很充足的南方地区，采用单晶硅太阳能电池为好，因单晶硅太阳能电池电性能参数比较稳定。当然非晶硅太阳能电池在室内阳光很弱的情况下比较好，因为非晶硅太阳能电池对太阳光照条件要求比较低。首先，我们必须先了解太阳能电池，太阳能电池有五大电性能参数：1、Isc是短路电流2、Im是峰值电流3、Voc是开路电压4、Vm是峰值电压5、P