基于串并联磁控忆阻器的耦合行为研究.PDF

基于串并联磁控忆阻器的耦合行为研究 王颜 杨玖 王丽丹 段书凯 Researchofcouplingbehaviorbasedonseries-parallel flux-controlled memristor WangYan YangJiu WangLi-Dan DuanShu-Kai 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,237303(2015) DOI: 10.7498/aps.64.237303 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.237303 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I23 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 忆阻器及其阻变机理研究进展 Researchprogressofmemristorsandmemristivemechanism 物理学报.2014,63(18): 187301 /10.7498/aps.63.187301 Ni/HfO /Pt 阻变单元特性与机理的研究 ElectriccharacteristicsandresistiveswitchingmechanismofNi/HfO /Ptresistiverandomaccessmemory cell 物理学报.2014,63(14): 147301 /10.7498/aps.63.147301 分数阶并联RL C 电路 Fractional-ordermultipleRL C circuit 物理学报.2014,63(3): 038401 /10.7498/aps.63.038401 界面效应调制忆阻器研究进展 Progressofmemristormodulatedbyinterfacialeffect 物理学报.2012,61(21): 217306 /10.7498/aps.61.217306 GaNMMIC 中SiN介质MIM 电容的可靠性 ReliabilityofSiN-basedMIMcapacitorsinGaNMMIC 物理学报.2012,61(17): 177302 /10.7498/aps.61.177302 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 23 (2015) 237303 基于串并联磁控忆阻器的耦合行为研究 王颜 杨玖 王丽丹 段书凯 (西南大学电子信息工程学院, 重庆 400715) ( 2015 年7 月24 日收到; 2015 年8 月26 日收到修改稿) 忆阻器是纳米级器件, 其功耗低, 集成度高, 有着巨大的应用潜能. 单个器件具有丰富的电学性质, 其串 并联电路更展现了丰富的动力学行为. 然而, 忆阻器在高密度集成的环境下, 其耦合效应不可忽视. 因此, 本 文首先基于磁控忆阻器推导了耦合忆阻器的数学模型. 其次, 在考虑不同极性连接和耦合强度的前提下, 讨 论两个磁控忆阻器串并联的耦合情况, 进行了详细的理论分析, 并通过数值仿真探索了耦合效应对忆阻系统 的影响. 同时, 设计了基于Matlab 的图形用户界面, 直观地展示了不同参数下的耦合特性曲线. 进一步, 本文 展示了有无耦合情况下, 初始阻值对忆阻器正常工作范围的影响. 最后, 构建耦合忆阻器的Pspice 仿真器, 从 电路的角度再次验证了忆阻器间的耦合效应. 实验结果表明: 同极性耦合增强了阻值的改变, 相反极性的耦 合减缓了阻值的改变. 这些动力学特性可以很好地应用于忆阻网络中, 也为全面考虑忆阻系统电路的设计提 供了强大的理论基础. 关键词: 磁控忆阻器, 耦合效应, 图形用户界面, Pspice PACS: 73.40.Rw, 84.30.Bv, 84.32.–y, 85.35.–p DOI: 10.7498/aps.64.237303