基极含量子井结构异质接面电晶体的工作特性TheEffectsofQuantum.PDF

Nanometer-Scale Technology and Materials Symposium 2013 Changhua, Taiwan, 13, December 2013 基極含量子井結構異質接面電晶體的工作特性 廖淑慧 吳瑨佶 楊賀信 中州技術學院電子工程系 51003彰化縣員林鎮山腳路三段二巷六號 摘 要 本論文探討基極區具有量子井結構異質接面雙極性電晶體的直流特性。我們將雙異質接面 電晶體視為雙障壁位能井之結構，探討電子在此種雙障壁位能井之共振穿透能力。首先 利用傳 播矩陣方法分析雙障壁位能井之電子穿隧效應，接著再將此位能井應用於異質接面雙極性電晶 體分析。我們先設定各種量子井層寬度、能障高度、寬度，來了解在不同的條件下，所產生的 穿隧機率。研究結果發現，電子的穿隧機率會同時受到許多因素的影響，所以若使用奈米級的 元件結構時，對電子在材料中的運動行為需要花更多的電性或是物理特性分析。最後，我們探 討基極區具有量子井結構異質接面雙極性電晶體的直流特性，分別檢視在此結構的元件Ic-Vc 與Gummel plot特性曲線。 關鍵詞 ：量子井，GaAs電晶體，穿隧效應 The Effects of Quantum Wells on the Behavior of a SiGe HBT SHU-HUI LIAO, CHIN-CHI WU, AND HE-HSIN YANG Department of Electronic Engineering, Chung Chou University of Science and Technology, Changhua County 51003, Taiwan ABSTRACT This paper discusses the device of SiGe HBTs with silicon on insulator technology. The propagation matrix method (PMM) was used to find the transmission resonances of a symmetric double-barrier. Simulation results suggest that the transmission resonances can be affected by the potential barrier width and the potential well width. In the investigation, there are peaks in transmission at energy less than the potential barriers energy, 0.8 eV. The resonance at lower energy has a value of quite narrow in energ