第六章 二元Ⅲ-Ⅴ族的化合物的制备及其特征.pptVIP

二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征;回忆: 硅的晶体结构;如何形成;闪锌矿结构;纤锌矿晶体结构;6-1-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构;III-V族化合物半导体;GaAs 能带结构与Si、 Ge 能带结构相比，特点如下：;GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低 但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射复合中心,使GaP从间接跃迁到直接跃迁转化,发光效率会提高. ; 在半导体中，电子和空穴可以是自由运动的，也可以是被束缚的。 电子由价带激发到导带，就形成自由的电子和空穴 电子由价带激发到导带下面的一个激发态而未到达导带的时候，电子将被束缚在空穴的库仑场中，又不与空穴复合而形成激子。 激子：电子与空穴间的库伦引力使两者处于束缚状态，这种被束缚的电子空穴对就叫激子。 ;(补充)等电子杂质指与点阵中被替代的原子处于周期表中同一族的其他原子。例如 GaP中取代P位的N或Bi原子。 等电子杂质本身是电中性的,但由于它与被替代的原子有不同的电负性和原子半径，这些差异会产生以短程作用为主的杂质势，可以俘获电子(或空穴),称为等电子陷阱。 通常电负性大的等电子杂质形成电子束缚态，反之形成空穴束缚态。 电子俘获中心也可称为“电子陷阱”,空穴俘获中心可称为“空穴陷阱”.它们都应是禁带中的深能级。 半导体中某些处于最近邻的施主－受主对，例如GaP中的Zn-O对及Cd