合成、结构及表面光电压性质.PDFVIP

Vol.33 高等 学校 化 学 学报 No.5 2012年5月 摇 摇 摇 摇 摇 摇 CHEMICALJOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES摇 摇 摇 摇 摇 摇 876~879 [Co(en) ] (Zr F )(ZrF H O)·H O 的 3 2 2 12 6 2 2 合成、 结构及表面光电压性质 1 2 1 1 1 1 韩义德 ,杜摇 宇 ,李摇 乙 ,宋晓伟 ,于吉红 ,徐如人 (1. 吉林大学化学学院,无机合成与制备化学国家重点实验室,2. 电子科学与工程学院,长春 130012) 摘要摇 采用常温晶化法合成了1个新的金属配合物与氟化锆的复合物[Co(en) ] (Zr F )(ZrF H O) ·H O 3 2 2 12 6 2 2 (1),并对其单晶结构进行了解析. 该化合物属单斜晶系,C2/ c 空间群,a=3郾06110(17) nm,b=0郾877680 3 (5) nm,c=1郾50811(9) nm,茁=118郾897(4)毅,V =3郾547(4) nm ,Z=8. 该化合物由双核氟化锆阴离子簇 4- 2- 3+ [Zr F ] 和单核氟化锆阴离子簇 [ZrF H O] 与钴胺配合物阳离子 [Co(en) ] 及水分子组成,氟化锆与 2 12 6 2 3 钴胺配合物之间存在大量的氢键. 该化合物的表面光电压谱在339 nm处出现了光电信号. 这种特殊的光电 现象有可能归因于该化合物的钴胺配合物阳离子与氟化锆阴离子簇之间存在的协同作用. 关键词摇 氟化锆;钴胺配合物;氢键;光电压 中图分类号摇 O614.4摇 摇 摇 摇 文献标识码摇 A摇 摇 摇 摇 DOI:10.3969/ j.issn.0251鄄0790.2012.05.002 光电材料是能够将光能转化为电能或化学能等其它能量的一种材料, 已被广泛应用于太阳能电 池、光电开关、光存储及光催化合成等领域[1~9]. 近年来,一系列具有显著光电效应的半导体材料已 被合成,例如GaN,SiC,ZnO和TiO 等[10~15]. 与传统无机半导体材料相比,具有光电性质的分子固体 2 [16~18] [16] 材料的报道仍很少 . 2003年,Chen等 报道了具有光电效应的铀鄄锌鄄有机配位聚合物在光照下 [17] 可以产生微弱电流. 2005 年,Du等 合成出具有特殊光电效应的金属氟化物鄄钴胺配合物氢键组装 [18] 体. 2009年,Du等 合成出具有介孔结构的分子固体材料[Co(en) ](Zr F H O),其光电转化能力 3 2 11 2 强于相应的晶体材料,这归因于介孔结构中光学活性位点的显著增加. 本文采用钴胺配合物和氟锆酸钾为原料,在常温下合成出1个新的钴胺配合物鄄氟化锆复合物 [Co(en) ] (Zr F )(ZrF H O) ·H O(1),并通过X射线单晶结构解析、元素分析、X射线粉末衍射