第四章 扩散－H-1.ppt

第四章扩散 第四章 扩散 (Diffusion) § 4. 1 引言 § 4. 2 扩散机理 § 4. 3 扩散方程及其解 § 4. 4 影响杂质浓度分布的其他因素 § 4. 5 常用杂质硼，磷，砷在硅中的性质 § 4. 6 扩散方法 § 4. 7 扩散层质量检验 基本概念 结深 Xj 和杂质浓度分布 薄层电阻: Rs 杂质固熔度 薄层电阻 (sheet resistance) ： 表面为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻。单位为 ?/? ? Rs与正方形边长L无关 杂质固溶度(dopant solid solubility) 固溶度(solid solubility): 在一定温度下杂质所能溶入固体中的最大浓度 第四章 扩散 (Diffusion) § 4. 1 引言 § 4. 2 扩散机理 § 4. 3 扩散方程及其解 § 4. 4影响杂质浓度分布的其他因素 § 4. 5 常用杂质硼，磷，砷在硅中的性质 § 4. 6 扩散方法 § 4. 7 扩散层质量检验 § 4.2 扩散机理 扩散的最基本的两种机制 间隙式 替位式 扩散系数 第四章 扩散 (Diffusion) § 4. 1 引言 § 4. 2 扩散机理 § 4. 3 扩散方程及其解 § 4. 4影响杂质浓度分布的其他因素 § 4. 5 常用杂质硼，磷，砷在硅中的性质 § 4. 6 扩散方法 § 4. 7 扩散层质量检验 § 4.3 扩散方程及其解 费克第一定律(Fick’s first law) 费克第二定律(Fick’s second law) 费克定律的解 (Solution to Fick’s law) 恒定表面源扩散 有限表面源扩散 扩散过程设计 根据不同的边界条件可以得到Fick’s second law的解 恒定表面源扩散 (Constant Source)- Predeposition预淀积 扩散过程设计 在设计过程中，最重要的参数是 薄层电阻(sheet resistance) 表面浓度(surface concentration) 结深(junction depth) 这些参数中的两个就可以决定扩散分布 Irvin曲线给出了余误差和高斯分布扩散薄层中平均电导率和扩散表面浓度的关系， Irvin曲线有助于扩散过程设计 Review 1. 杂质浓度(dopant concentration) 和杂质剂量(dopant dose)的单位各是什么？两者之间存在什么样的关系? Review 在一个CMOS器件中，有那些区域需要用到扩散工艺？ 扩散工艺一般分为哪两步？ 第一步中，扩散方程的解为何种形式？ 第二步中，扩散方程的解为何种形式？ 要设计一个扩散过程，必须知道那些参数？他们的定义如何？ Review 2. 预淀积（predeposition)及杂质推进(drive-in) 的杂质分布及杂质剂量。 Review 杂质的微观扩散机制有那些？ 杂质固溶度(dopant solid solubility) 固溶度(solid solubility): 在一定温度下杂质所能溶入固体中的最大浓度 第四章 扩散 (Diffusion) § 4. 1 引言 § 4. 2 扩散机理 § 4. 3 扩散方程及其解 § 4. 4 影响杂质浓度分布的其他因素 § 4. 5 常用杂质硼，磷，砷在硅中的性质 § 4. 6 扩散方法 § 4. 7 扩散层质量检验 § 4. 4 影响杂质浓度分布的其他因素 横向扩散 场助效应 扩散系数与杂质浓度的关系 分凝效应(Segregation) 基区下陷效应 场助效应(Electric field enhanced ) 扩散时，掺入到硅晶体中的杂质处于电离状态. 离化的电子和空穴运动速度比离化杂质快，建立 一个自建场，有助杂质扩散速度加速 硅中荷电态空位主要有四种 V0中性空位 V+单正电荷空位 V-单负电荷空位 V2-双负电荷空位 分凝效应(Segregation) 杂质在界面分凝界面流量为 发射极下陷效应 (Emitter Push effect) 实验现象：在P发射区下的B扩散比旁边的B扩散快，使得基区宽度改变。 大量空位（V2-）迁移到发射区下方基区，加快了硼的扩散。 第四章 扩散 (Diffusion) § 4. 1 引言 § 4. 2 扩散机理 § 4. 3 扩散方程及其解 § 4. 4 影响杂质浓度分布的其他因素 § 4. 5 常用杂质硼，磷，砷在硅中的性质 § 4. 6 扩散方法 § 4. 7 扩散层质量检验 磷在硅中的性质 1.