第一章电力电子器件青岛科技大学自动化与电子工程学院.ppt

第一章 电力电子器件 Power Electronic Devices 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1. 3 半控器件—晶闸管 三、导通和关断的条件 1. 导通条件： 三、导通和关断的条件 注：1）只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段； 2）光触发是专门设计的，可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 三、导通和关断的条件 （1）UA=0(去掉阳极电压） （2） UA0(阳极加反压） （3）使流过晶闸管的电流小于维持电流 1.3.2 晶闸管的基本特性 1. 静态特性(Static characteristics) 晶闸管的伏安特性 2) 反向特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 2. 动态特性(Switching characteristics of thyristor) (1) 开通过程 td----延时时间 tr-----上升时间 开通时间tgt=td+tr 1.3.3 晶闸管的主要参数 (Specifications of thyristor) 1. 电压定额 注：通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。 1)??通态平均电流 IT(AV) （Average on-state current） 晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 2)? 维持电流 IH （Holding current ） 使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关。结温越高，则IH越小。 1.3.3 晶闸管的主要参数 3. 动态参数 1.3.4 晶闸管的派生器件 快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 1.3.4 晶闸管的派生器件 2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 1.3.4 晶闸管的派生器件 3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 1.3.4 晶闸管的派生器件 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 1.3.4 晶闸管的派生器件 又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。 大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。 1.4 典型全控型器件Typical fully- controlled devices 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.4.1 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 1.4.1 门极可关断晶闸管 （Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 1.4.1 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器 1.4.2 电力晶体管 术语用法： (1) 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） (2)耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 1. GTR的结构和工作原理 1. GTR的结构和工作原理 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 1. GTR的结构和工作原理