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雪崩击穿：低掺杂，耗尽层宽，高反向（击穿）电压， 碰撞价电子（撞出），产生电子空穴对，多 次重复，反向电流增大。 齐纳击穿：高掺杂，耗尽层窄，低反向（击穿）电压， 激发价电子（拉出），产生电子空穴对，反 向电流增大。 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 半导体器件物理基础 2.4 PN结的形成及特性 一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 四、 PN结的伏安特性 五、 PN结的电容效应 三、 PN结的电流方程 扩散运动 复合 多子浓度下降 正、负离子区 空间电荷区（电位差） 内电场（方向及大小） 漂移运动 动态平衡 扩散多子＝漂移少子 扩散电流＝漂移电流 一、 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 多子的扩散运动? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 平衡的PN结：没有外加偏压 能带结构 载流子漂移(电流)和扩散(电流)过程保持平衡(相等)，形成自建场和自建势 自建场和自建势 二、 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 PN结加正向电压时： 低电阻 大的正向扩散电流 PN 结的伏安特性 1. PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场（空间电荷区）。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结导通，呈现低阻性。 限流电阻 结压降 2. PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场（空间电荷区）。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散 电流大大减小。 此时PN结区的少子在 内电场的作用下形成的 漂移电流大于扩散电流， 可忽略扩散电流，PN结 呈现高阻性。 PN结的伏安特性 PN结加反向电压时： 高电阻 很小的反向漂移电流 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 三、 PN结的电流方程 PN结V- I 特性表达式 其中 IS ——反向饱和电流 UT——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 四、 PN结的伏安特性 PN结外加 正向电压：指数规律 反向电压：直线 当的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿（大电流）——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 PN结的伏安特性曲线 PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。 一是势垒电容Cb ， 二是扩散电容Cd 。 五、 PN结的电容效应 1. 势垒电容Cb 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。 当外加反向电压（漂移）使PN结上压降发生变化时，耗尽层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电（变容二极管）。 PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子（非平衡少子），与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，到远离交界面处，形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大，