模电3二极管.pptVIP

3.2.2 PN 结的形成 （1）外加正向电压 （2）外加反向反向电压 （3）PN结V-I 特性表达式 3.2.4 PN结的反向击穿(breakdown) 温度对特性的影响 特性参数值 §3.4 二极管基本电路及其分析方法 稳压管稳压电路 本章重点 阳极 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 3.3.1 二极管的结构(physical structure) (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号(symbol) anode cathode 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3.3.2 二极管伏安特性volt-ampere characteristic 门坎电压 正向特性为指数曲线 反向电流为常量 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降v↓ →反向饱和电流IS↑，V(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 门坎电压 材料 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 极间电容Cd (5) 反向恢复时间TRR 3.3.3 二极管的参数 （1） 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2） 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 （3） 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 (4) 极间电容Cd Cd =CD+CB (5) 反向恢复时间TRR t i O IF IRM 0.1IRM TRR 扩散电容的影响 3.4.2 二极管正向V-I 特性的建模 1.理想模型（ideal diode) vD iD iD vD 当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此模型作近似分析 3.4.1 简单二极管电路的图解分析法 略，自学。 2.恒压降模型（offset model) 二极管导通后，认为其压降是恒定的，典型值为0.7V，只有当二极管的电流大于等于1mA时，才能应用该模型进行合理的近似计算。 vD iD iD vD 3.折线模型(piecewise linear diode model) 认为其导通压降不是恒定的，而是随着二极管电流的增加而增加，用一个恒压源与一个电阻的串联进一步的近似。 rD近似为 200Ω。 vD iD iD vD Vth rD Vth≈0.5V 4.小信号模型(small signal model) 当二极管在其导通后伏安特性的某一小范围内工作，可以把伏安特性看成一条直线。 小信号模型的微变等效电阻rd＝26（mv）/ID。 vD iD ΔiD ΔvD rd ΔvD ΔiD 3.4.3 模型分析法应用举例 * 第三章 半导体二极管及其基本电路 第三章 半导体二极管及其基本电路 § 3.1 半导体的基本知识 § 3.2 PN 结的形成及特性 § 3.3 半导体二极管 § 3.4 二极管基本电路及分析方法 § 3.5 特殊二极管 3.1.1 导体、半导体和绝缘体 Conductor、semiconductor and insulator 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电能力处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 §3.1 半导体的基本知识 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显