溶胶凝胶制备氧化钒薄膜的生长机理及光电特性-物理学报
物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 5 (2013) 056802
溶胶凝胶制备氧化钒薄膜的生长机理及光电特性*
†
何琼 许向东 温粤江 蒋亚东 敖天宏 樊泰君 黄龙 马春前 孙自强
( 电子科技大学光电信息学院, 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054 )
( 2012 年8 月1 日收到; 2012 年9 月11 日收到修改稿)
采用溶胶凝胶法, 在不同的退火温度下制备了不同的氧化钒薄膜. 利用扫描电子显微镜、X 射线衍射仪、高阻
仪、紫外- 可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪等, 对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性进行了分析. 结果表明,
溶胶凝胶法获取V O 薄膜的最佳退火温度为430 ◦C, 低于此温度不利于使有机溶剂充分分解, 高于此温度则V—O
2 5
键发生裂解、形成更多的低价态氧化钒. 本文制备的氧化钒薄膜具有较高的电阻温度系数和光吸收率, 适合应用在
非制冷红外探测器中. 本文揭示了溶胶凝胶法制备氧化钒薄膜的生长机理.
关键词: 氧化钒薄
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