第三节半导体中的载流子的统计.pptVIP

（3）强电离区(大部分杂质电离 本征激发未发生) a）强电离区电子浓度和费米能级 EF由T和ND共同决定 如果T一定， ND↑， EF ↑ ，EF向EC靠近 如果ND 一定， T ↑， EF ↓ ，EF向Ei靠近 E Ev Ei b）饱和电离--杂质(几乎)全部电离 饱和电离的范围: 下限: 杂质接近全部电离 nD 0.1ND 上限: 本征激发可忽略 ni 0.1ND 杂质电离程度 T高，ND小，电离程度高 T低，ND大，电离程度小 T高，ND大，具体分析 T低，ND小，具体分析 标准：P→Si D-=10% ND=3×1017cm-3 若ND=1016cm-3 D-=？ （4）过渡区 温度继续升高,本征激发已不能忽略 nD + = ND 电中性条件为: n0 = p0+ ND 仍有 T↗, EF↘ a）导带电子浓度、价带空穴浓度 b）EF表达式 求NC（通过本征情况求NC） c）少数载流子浓度 n型半导体 n0=ND p0=ni2/ND p型半导体 p0=NA n0=ni2/NA 在饱和区的温度范围内,少子浓度将随着温度的升高而迅速增大. （5）高温本征激发区 E Ev Ei 图3-14 ND NA lnni~1/T Ge Si GaAs 图3-13 （6）一般情况下载流子统计分布（半导体中同时含有一种施主杂质和一种受主杂质的情况） 有效杂质浓度(p73) 和前面只有单一杂质的情况所得的结果只是将杂质浓度换成有效杂质浓度（除了极低温的条件下） 3.6 简并半导体 1、简并半导体的浓度计算 a） EF位于导带中 P76 图 3-16 ξ -4 -3 -2 -1 -1/2 0 1/2 F1/2(ξ) 0.016 0.043 0.115 0.29 0.45 0.689 0.99 1 2 3 4 1.396 2.502 3.977 5.771 b） EF位于价带中 2、简并化条件 非简并： 简并： 0·1 -4 -2 0 2 4 6 8 0.2 0·5 N 2 5 10 20 费米 经典 n EF－EC＜－2k0T，非简并 －2k0T≤EF－EC＜0，弱简并 EF－EC≥0，简并 n型半导体的简并条件：EF－EC≥0 p型半导体的简并条件：Ev－EF≥0 3、简并时的施主浓度 no=nD+ ∵简并时，EF=EC，∴ED＜EF， EF=EC，ξ=0，F(1/2)≈0.6 ND≥2.04NC n型简并半导体， ND ~ NC 至少处于同一数量级； p型简并半导体， NA ~NV至少处于同一数量级； 简并半导体为重掺杂半导体 ND≧Nc 发生简并 Nc—硅、锗≈1019cm-3 Nc—砷化镓≈1017cm-3 4、简并半导体中的杂质能级 非简并时， 简并： △ED→0，Eg→Eg＇ 导带 Eg 施主能级 价带 施主能带 本征导带 简并导带 能带边沿尾部 Eg E′g 价带 电子占据量子态的几率： 费米分布函数 → 简并半导体 玻尔兹曼函数 → 非简并半导体 能量状态密度： 导带：gC(E) ∝ E 1/2 价带：gV(E)∝-E 1/2 第三章 小结 载流子浓度： 导带电子浓度： 价带空穴浓度： 浓度积： 本征半导体： 非简并半导体： n型： 低温弱电离区 饱和电离区 过渡区 P 型 饱和电离区的确定 简并半导体 载流子浓度 简并条件： 或 简并时的杂质浓度和杂质能级 重掺杂 杂质能带 例子：n型Si 温度改变—n0p0变—若n0 则p0 一个的增加是以另一个的牺牲为代价的 Ec Ev ED 应用 在常温下，已知施主浓度ND，并且全部电离，求导带电子浓度n0和价带空穴浓度p0 ∵ 施主全部电离 ∴n0=ND n型半导体 在常温下，已知受主浓度NA，并且全部电离，求导带电子浓度n0和价带空穴浓度p0 ∵ 受主全部电离 ∴p0=N