【技术教程】《单片机原理与应用系统设计》第02章.pptVIP

例2：准双向口的输入实验 电路设计如下图所示，将单片机的P1.0～P1.7分别通过限流电阻与8只发光管连接；P3.0～P3.7分别通过开关连接到地线和通过上拉电阻连接到电源线。这样，当开关闭合时，从相应引脚输入低电平，而断开时输入高电平。实验程序如下。实验现象是，起初所有发光管全不亮，若合上一个开关，则对应的发光管点亮，再合上另一个开关，对应的发光管也点亮，同时合上多个开关，就有对应的多个发光管点亮，断开某个开关，对应的发光管就熄灭。 2.5.5 端口实验举例 准双口的输入实验电路示意图 2.5.5 端口实验举例 MAIN: MOV P3,#0FFH ；准双向的P3口预习输出1，做好输入 ；准备 LOOP: MOV A,P3 ；读取P3口上的状态到累加器A MOV P1,A ；将A的内容送到P1口 LJMP LOOP ；跳转到LOOP语句，不断重复 END ；汇编程序结束 2.5.5 端口实验举例 第2章结束！ 第2章 MCS-51单片机系统结构 MCS-51单片机的片内RAM空间为256字节，占用地址空间00H～0FFH。地址空间00H～7FH的128字节称为低端RAM，80H～0FFH的128字节称为高端RAM。此外MCS-51单片机还有128字节的特殊功能寄存器，简称SFR，其地址空间和高端RAM的地址空间重叠，即也为80H～0FFH。低端RAM和SFR是每个MCS-51单片机都有的，是MCS-51单片机内核的重要组成部分。高端RAM仅52型以上的单片机才有。 2.4.2 片内RAM数据存储器 低端RAM可以直接寻址也可以间接寻址。对于具有高端RAM的单片机，单片机通过寻址方式的不同来区分高端RAM和SFR，高端RAM只能间接寻址，而SFR只能立即寻址。 原则上，SFR不作数据缓冲区使用，而其它256字节的片内RAM都可用作数据缓冲区。通常这256字节的RAM可区分为工作寄存器区、位寻址区、堆栈区和普通数据缓冲区等。 2.4.2 片内RAM数据存储器 （1）工作寄存器区 MCS-51单片机片内RAM的00H～1FH单元用作工作寄存器区，分为4组，每组有8个工作寄存器：R0～R7。工作寄存器R0～R7在指令中往往用作指针、计数器等特殊用途。工作寄存器和RAM单元地址的对应关系如表2-3所示。 CPU当前使用哪一个工作寄存器区，由当前程序状态字PSW的第3、4位指示。PSW的这两位分别记为RS0和RS1，它们和当前使用的工作寄存器区的对应关系如表2-4所示。 2.4.2 片内RAM数据存储器 表2-3 工作寄存器和RAM地址对照表 0 区 1 区 2 区 3 区 寄存器 地址 寄存器 地址 寄存器 地址 寄存器 地址 R0 00H R0 08H R0 10H R0 18H R1 01H R1 09H R1 11H R1 19H R2 02H R2 0AH R2 12H R2 1AH R3 03H R3 0BH R3 13H R3 1BH R4 04H R4 0CH R4 14H R4 1CH R5 05H R5 0DH R5 15H R5 1DH R6 06H R6 0EH R6 16H R6 1EH R7 07H R7 0FH R7 17H R7 1FH 2.4.2 片内RAM数据存储器 表2-4 工作寄存器区的选择 2.4.2 片内RAM数据存储器 PSW.4（RS1） PSW.3（RS0） 工作寄存器区 0 0 0区（00H～07H） 0 1 1区（08H～0FH） 1 0 2区（10H～17H） 1 1 3区（18H～1FH） （2）位寻址区 片内RAM的20H～2FH为位寻址区，这16个单元的每一位都有一个位地址，它们占据位地址空间00H～7FH。位寻址区的128个位单元的位地址见表2-5。这些位地址由位操作指令使用。这128位的每一位都可以作为一个软件触发器，用于存放各种程序标志或位控制变量。同样，位寻址区的RAM单元也可以作为一般的数据缓冲器使用。 2.4.2 片内RAM数据存储器 表2-5 RAM位寻址区位地址 字节地址 位地址 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 2FH 7FH 7EH 7DH 7CH 7BH 7AH 79H 78H 2EH 77H 76H 75H 74H 73H 72H 71H 70H 2DH 6FH 6EH 6DH 6CH 6BH 6AH 69H 68H 2CH 67H 66H 65H 64H 63H 62H 61H 60H 2BH 5FH 5EH 5DH 5CH 5BH 5AH 59H 58H