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激光的波长为660nm，能量密度为112.3nw/cm2. * 激光波长为532nm，源漏电压为0.1V。 * 在可见光的 * 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 二维材料 光电器件原理以及应用 二维材料简介 二维光电器件 Single-Layer MoS2 Phototransistors 单层二硫化钼的光学照片、AFM，PL谱与场效应管 二维材料光电器件 A光电流与入射光波长（入射光的能量）的关系，B光电流与入射光功率的关系 二维材料光电器件 二维材料光电器件 栅压调制的光电响应 二维材料光电器件 二维材料光电器件 有机晶体/石墨烯光电探测器 Precise, Self-Limited Epitaxy of Ultrathin Organic Semiconductors and Heterojunctions Tailored by van der Waals Interactions[J]. Nano Letters, 2016. 二维材料光电器件 ReS2与BN的高质量范德瓦尔斯异质结构的光电探测器 Advanced Functional Materials (DOI: 10.1002/adfm.201504408) High Responsivity Phototransistors Based on Few-Layer ReS2 for Weak Signal Detection Gap States Assisted MoO3 Nanobelt Photodetector with Wide Spectrum Response 本征的单根MoO3纳米带的禁带（~3.2 eV）宽度较宽，因此导电能力极低，且对所有的光都没有光响应。然而使用还原性气体H2退火使MoO3产生氧缺陷态来引进一个中间态，此方法可以改善其导电能力，并且在较宽的波段都对光响应。 一维材料光电器件 Scientific Reports, 2014, 4(4):254-254. （a）退火前，单根MoO3纳米带的 I-V曲线;（b）比较退火前、后单根MoO3纳米带的 I-V曲线 结论：退火可以提高单根MoO纳米带的导电能力，电导提高了5个数量级 。 二维材料光电器件 H2退火前、后，源漏电压为0.1v时，暗电流与光电流随时间的变化图。 退火前本征MoO3没有光响应，为一条直线；退火后有很明显的光响应，光电流约为100nA。 二维材料光电器件 （a）不同强度的光照射被H2退火后的MoO3纳米带，其光电响应随时间的变化关系。（b）光电流随激光强度变化关系 表明：光致电荷的载流子密度与光电流的取决于所吸收的光通量，这一特性可以应用于光功率探测器。 二维材料光电器件 二维材料光电器件 * 二硫化钼是采用机械剥离法制备的，首先通过光学显微镜筛选较薄的二硫化钼，然后通过PL（676 nm）与拉曼（384 and 400 cm-1）进一步确定二硫化钼的层数。并通过电子束曝光做成硫化钼晶体管。 图A，从图A发现当激发波长超过670时，产生的光电流随入射波长的增加而减小。但当激发波长小于670nm时，光电流入射波长的减小而快速增加，这是因为光电流的产生需要具备基本的条件，只有当入射激光的能量高于带隙的宽度1.83ev,即激光的波长小于676nm时，才能激发电子从价带跃迁到导带，在源漏偏压下形成光电流。 图B，在入射光能量高于带隙宽度的前提下，光电流的大小与入射功率的大小有关，光电流的大小随入射功率的增加而增加。 图c，进一步研究了：在不同偏压下，光电流与激光功率的关系，它们成线性关系。 图D，通过场效应计算硫化钼的转移特性为 不同栅压与不同光功率的的硫化钼在暗场与辐照时，其光电流随时间的变化关系。入射功率与偏压增加时，其光电流增加。从偏压对光电流的关系中，我们得出：当源漏之间不加偏压或偏压较小时，光生载流子并不能形成光电流。这是因为较大的偏压可以更好的驱动光生的载流子到达电极，并且可以抑制光生载流子复合。 图B中，在一个很短的时间内，光电流的改变被记录下来。在电流产生过程中，开关的持续时间为50ms。 图C光电流的开关行为非常稳定，在持续循环20次后，开关性质仍然能很好的维持。 通过施加栅压，可以更好的，提高光生载流子的效率。通过对比发现，施加栅压可以提高硫化钼光电流。在不同的栅压下，开关性质也很稳定 图C光响应度是衡量光电探测器重要的参数，在0栅压下，光响应度为0.45mA/W，当栅压为50V时，光响应度为7.5mA/W。表明栅压起着重要的作用。其响应度远小于ZnO(12900A