电子材料工学（唐子龙）4 半导体器件基本制造工艺（总述）.pdfVIP

课程四课程四 基本制造工艺基本制造工艺 半导体器件的基本制造工艺半导体器件的基本制造工艺 应用举例应用举例 •晶硅太阳能电池晶硅太阳能电池 •晶体管晶体管 电子材料工学-半导体材料 1 单晶硅单晶硅 熔炼熔炼 切割切割，打磨打磨 多晶硅 单晶硅 硅片 电子材料工学-半导体材料 2 CZ法制造单晶硅法制造单晶硅 Czochralski Process 1417C 提拉速率、熔融温度和旋转速度是主要控制因素。 /~jones/es154/lectures/lecture_2/materials/materials.html 电子材料工学-半导体材料 3 FZ法制造单晶硅法制造单晶硅 Float Zone Process 移动 固体固体 液体液体 优点优点：：多次提纯多次提纯，可制造高纯硅可制造高纯硅 缺点：单晶直径一般小于150mm /410 参考书：Silicon VLSI technology by Plummer, Deal and Griffin 电子材料工学-半导体材料 4 氧化氧化 Si+H OSiO +H 2 2 2 H O 2 石英管 O 2 加热炉 Si+OSi+O SiOSiO 22 22 氧化炉 在氧气或水蒸气的气氛下氧化硅表面。 用氧气氧化用氧气氧化速率快率快，还是用水蒸气氧化是用水蒸气氧化速率快率快？ 电子材料工学-半导体材料 5 氧化速率氧化速率 干法氧化速率 湿法氧化速率 Si+O SiO