电子材料工学（唐子龙）6 半导体制造中的蚀刻技术.pdfVIP

提纲提纲 蚀刻基本概念蚀刻基本概念 蚀刻种类和方式蚀刻种类和方式 制造方法 电子材料工学-半导体材料 1 蚀刻蚀刻 • 薄膜（有时是硅基板）的蚀刻是很常见的工艺 • 蚀刻的选择性和方向性是关键蚀刻的选择性和方向性是关键 • 选择性来源于材料的化学性质，方向性来源于物理过程，两者都需要优化 • 模拟软件可以用来仿真蚀刻过程 电子材料工学-半导体材料 2 蚀刻中的问题蚀刻中的问题 a) 侧蚀 Undercut 选择性 Selectivity b) issue 电子材料工学-半导体材料 3 方向性方向性 More directional etching a) isotropic b) anisotropic c) completely anisotropic 最好是非常各项异性和非常有选择性的蚀刻最好是非常各项异性和非常有选择性的蚀刻 （比例为比例为25-50 ），， 但是这往往很难同时实现。 蚀刻的蚀刻的一般要求般要求:: 1. 获得需要的形状 2. 最小的侧蚀 3.3. 对光刻胶和暴露的材料有选择性对光刻胶和暴露的材料有选择性 （（不蚀刻不蚀刻）） 4. 一致性和可重复性好 5. 对表面和电路损伤小 6. 清洁清洁，，经济经济，，安全安全 电子材料工学-半导体材料 4 提纲提纲 蚀刻基本概念 蚀刻种类和方式 湿法蚀刻 干法蚀刻（等离子蚀刻） 桶式蚀刻 平行板系统 高密度等离子系统 离子减薄等  制造方法 电子材料工学-半导体材料 5 湿法蚀刻湿法蚀刻 （（I ）） 湿法蚀刻的特点湿法蚀刻的特点：：选择性好选择性好，但往往是各向同性但往往是各向同性 （（除了与除了与 晶体取向有关联） 用HF蚀刻SiO SiO 6HF H SiF 2H O 2 2 2 6 2 用用HFHF和硝酸和硝酸 SiSi HNOHNO 3 66HFHF HH 2 SiFSiF6 HNOHNO 2 HH 2 OO HH 2 蚀刻Si • 晶圆通常浸没于特殊的化学槽中， 然后用去离子水清洗 电子材料工学-半导体材料