模拟电子技术基础（黄友锐）lecture01.pptxVIP

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2017-12-13 发布于浙江
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模拟电子技术基础（黄友锐）lecture01.pptx

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模拟电子技术基础;;参考书：;1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 ;1.1 半导体的基本知识;1.1.1 本征半导体及其导电性; (1）本征半导体的共价键结构; （2）电子空穴对; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图01.02所示。; (3) 空穴的移动;1.1.2 杂质半导体; (1）N型半导体;(2) P型半导体;1.1.3 杂质对半导体导电性的影响;杂质半导体简化模型;1.2 PN结;1.2.1 PN结的形成; 最后多子扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为 P N 结 , 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 ;1.2.2 PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ; PN结外加正向电压时，呈现低电阻???具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; 1. 在杂质半导体中多子的数量与（a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;1.2.3 PN结的电容效应; (1) 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正偏时，由N区扩散到 P 区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。; 图 01.10 扩散电容示意图