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模拟电子技术基础;;5.2.1混合π型高频小信号模型; 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型，如图05.06所示。;;;输入侧;;5.2.2 电流放大系数β的频响;由此可求出共射接法交流短路电流放大系数。; 由此可做出β的幅频特性和相频特性曲线，
如05.10图所示。
图05.10 三极管β的幅频特性和相频特性曲线; fT≈β0 f?可由下式推出 ;5.3 共发射极接法放大电路的频率特性;5.3.1 全频段小信号模型;显然这是一个RC低通环节，其时间常数
?H={[(Rs //Rb)+rbb ]//rbe}C?
于是上限截止频率fH=1/2??H 。;图05.13 高频段微变等效电路;; 设放大电路的中频电压放大倍数为AvsM，其频率特性曲线与RC低通电路相似。只不过其幅频特性在Y轴方向上上移了20lg AvsM(dB)。相频特性则在Y轴方向上向下移180?，以反映单级放大电路倒相的关系。;5.3.3 低频段小信号微变等效电路; 在波特图上可确定fL1、fL2和fL3，分别做出三条曲线，然后相加。;所以输入回路的低频时间常数为：
?L1=(C1 //Ce)( Rb +rbe); 在此简化条件下，低频段的电压放大倍数的复数形式为;设fL1＞fL2，画出单级基本放大电路波特图，如图05.16所示。;5.4 场效应三极管高频小信号模型; 它是在低频模型的基础上增加了三个极间电容而构成的，其中Cgs、Cgd一般在10pF以内，Cds一般不到1pF。为了分析方便，用密勒定理将Cgd折算到输入和输出侧。只要保证折算前后的电流相等即可，于是从输入侧有：;对CS放大电路，因; 于是可得场效应三极管的简化高频小信号模型，如图05.18所示。;几点结论：;3.由于：
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