2、二极管及基本电路.ppt

模拟电子技术 本章首先简单介绍半导体的基本知识，着 重讨论半导体器件的核心环节--PN结，并重点 讨论半导体二极管的物理结构、工作原理、特 性曲线和主要参数以及二极管基本电路及其分 析方法与应用；在此基础上对齐纳二极管、变 容二极管和光电子器件的特性于应用也给予了 简要的介绍。 2.1 半导体的基本知识 结论 ◆掺杂会大大提高半导体中载流子浓度，使导电性能大增。 ◆掺入五价杂质产生N型半导体（电子型半导体）。 多子—电子、少子—空穴。 ◆掺入三价杂质产生P型半导体（空穴型半导体）。 多子—空穴、少子—电子。 ◆多子浓度近似等于杂质浓度，少子浓度与温度密切相关。 2.2 PN结的形成及特性 2.2.2 PN结的单向导电性 ②P区、N区为低阻区，结区为高阻区，所以外加电压主要加在结区，抵消内电场的作用。 ∴ 结内电位差减小，势垒减小。 ③多子的扩散电流趋于0，由少子的漂移电流产生反向电流。少子浓度很小，所以反向电流很小。 PN结反向截止，反向截止电阻很大。 2.3 半导体二极管 2.3 半导体二极管 2.3 半导体二极管 点接触型：用于小功率、高频电路，如：检波、开关; 面接触型： 用于大功率、低频电路，如：整流等。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 1、二极管电路的分析概述 分析思路 分析任务：求vD、iD 目的1: 确定电路功能，即信号vI传递到vO ，有何变化？ 目的2: 判断二极管D是否安全。 首先，判断D的状态？ 若D反向截止，则相当于开路（ iD ?0，ROFF ? ∞ ）； 若D正向导通，则？ 正向导通分析方法： 图解法 等效电路（模型）法 —— 将非线性 ? 线性 先静态（直流），后动态（交流） 静态： vI =0（正弦波过0点） 动态： vI ?0 2、二极管状态判断 例2：试判断下图中二极管是导通还是截止，并求出输出端的电压Vo（设二极管是理想的） 例3： 例4 3、图解分析法 4、等效电路（模型）分析法 5、应用电路分析举例 分析方法小结 2.5 特殊二极管 例：（东南大学1998年研究生入学试题）如右 图所示为一稳压电路，已知稳压管的?zmax=20mA, ?zmin= 5mA, rz =10?, Vz =6V, 负载电阻的最大 值RLmax=10K?。 （1）确定R; （2）确定最小允许的RL值; （3）若RL=1k?,当V?增加1V 时，求?V0值。 解: 运用稳压管反向击穿特性，若负载电阻 增大，则V0增大，通过调整 ?z大小使V0稳定在 一定的范围内。等效电路如图所示。 (1)当RL=RLmax时，?z=?zmax 根据电路基本定理，有 将 R = 184? 和 ?zmin= 5mA代入， 可解得 ?0 =16mA。 所以最小允许的RL的值为： 例：(湖南大学1997年研究生入学试题)如图为两个参数相同的锗二极管在室温时，反向饱和电流为5?A，VT = kT/q=26mV，反向击穿电压为9.8V，求电路中的电流 ? 和各管所消耗的功率。 PD1 = ?VD1 = 11?0.2 = 2.2mW PD2 = ?VD2 = 11?9.8 = 107.8mW 本章需要重点掌握二极管模型及其电 路分析，特别要注意器件模型的使用范围 和条件。对于半导体器件，主要着眼于在 电路中的使用，关于器件内部的物理过程 只要求有一定的了解。 (2) 当RL最小时， D 1 D 2 10V I 解：D2反向击穿电压为9.8V, D1正向压降为:10-9.8=0.2V 例：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ? 。若负载电阻变化范围为1.5 k? ~4 k? ，是否还能稳压？ RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZW=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k? , iL=10/4=2.5（mA）,