4 2.6场效应管及其放大电路.ppt

2.共漏极放大器 直流通路 交流通路 小信号等效电路 得 由 输出电阻： 作业：P.194 5.23 5.24 5.27 思考题： 1.工作在放大状态的FET，其内部PN结处在反偏还是正偏状态？为什么？ 2.写出结型场效应管、增强型MOS管以及耗尽型MOS管的电流（特性）方程。 3. 写出各种场效应管的gm表达式。 P.154 4.24 预习: 1、P.183 ～188 5.6节 多级级联的放大电路 2、P.197 ～ 214 6.1节 集成运算放大器的特点; 6.2节 电流源电路; 6.3节 差动放大电路 再见 若 ， 当 时，沟道消失， ；即沟道全夹断。 上述过程体现了 对 的控制作用，电压控制型器件。 ③ 为定值， 时， 若 很小， 沿沟道形成电场，PN结不均匀。 沟道预夹断。此时 沟道夹断面 略增。（沟道长度调制效应） 不变，饱和， 。实际上 3、 结型场效应管（JFET）的伏安特性 （1）转移特性 式中： ---饱和电流，表示 时的 值； ---夹断电压， 时为 零。 结论：对于N沟道JFET，要保证 对 的有效控制，必须满足 （2）输出特性 为了增大输入阻抗，不允许出现栅流 ，也为了使栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制，PN结一定要反偏，所以在N沟道JFET中， 必须为负值。 ① ② PN结反偏 JFET的伏安特性曲线 根据特性曲线的各部分特征，同样将其划分为四个区域，截止区、可变电阻区、恒流区、击穿区。 d. 只受 的控制，随 的增加而增大。满足 放大区（饱和区、恒流区） a.沟道预夹断； b. c. 几乎与 无关。 增加， 几乎不变； 对 的控制能力弱。 主要降在夹断区。 d.管子相当于受 控制的压控电阻。 c. 变化，沟道电场强度变化， 变化。 ②可变电阻区 a. 较小； b. 沟道尚未夹断； 曲线斜率 说明JFET的输出电阻 ③截止区 a. b. 沟道被全夹断； c. ，管子相当于断开的开关。 ④击穿区 近漏区PN结反偏电压 ，达到一定值 时 PN结击穿， 。 越负 击穿点左移。 P沟道JFET的 、 极性相反，工作原理相同，特性相同。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 小结： 分类 电路符号 转移特性 输出特性 JFET N沟道 P沟道 IGFET N沟道 E 型 D 型 P沟道 E 型 D型 2.6.2 场效应管的主要参数 MOS场效应管的主要参数 一、直流参数 1. JFET和耗尽型MOSFET的主要参数 (1)饱和漏极电流IDSS（ID0）：对应uGS=0时的漏极电流。 (2)夹断电压UGS（off）：当uGS=UGS（off）时，iD=0，沟道消失。 2.增强型MOSFET的主要参数 开启电压UGS（th），当uGSuGS（th）时，导电沟道才形成， iD≠0。 3. 输入电阻RGS 输入电阻很大，JFET 108～1012Ω MOSFET 1010～1015Ω 二、极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1)栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2)漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS 三、交流参数 1. 跨导gm：表征FET的正向控制能力。 跨导gm的定义为 对增强型MOSFET，其电流方程为 对JFET和耗尽型MOS管，电流方程为 2.输出电阻 恒流区： 很大。 小结： 各种类型FET管的符号及特性对比 2.6.3 场效应管的小信号模型 iD= f (uGS ，uDS) iG= 0 所以 对iD全微分得到 为跨导 式中 rds为FET共源极输出电阻 因为 diG= 0 diG= 0 即 ig= 0 或 或用正弦复数表示为 简化的小信号模型： 2.6.4 场效应管放大器 （P.177～182 5.5节 ） （a）自偏压方式