基于故障树分析法的GaAsMMIC烧毁失效分析.docxVIP

DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2015．02．013基于故障树分析法的GaAsMMIC烧毁失效分析杨洋，贾东铭，林罡，钱峰(南京电子器件研究所，南京210016)摘要:用故障树分析法对一款高温工作寿命试验过程中烧毁的GaAs功率单片集成电路(MMIC)进行失效分析。故障样品呈现为有源区烧毁，判定由电流过大或过热引起。故障树的顶事件为GaAs功放芯片烧毁，次级因素分为设计缺陷、内部因素及外围因素三个方面。然后列举导致过热或电流过大的情况并建立故障树，通过对故障树中的末级故障逐一排查后，最终定位其烧毁是由栅金属下沉引起。这种故障模式主要出现在长期高温情况下，一般在正常使用过程中不会出现。关键词:故障树;砷化镓;微波单片集成电路(MMIC);失效分析;烧毁中图分类号:TN406;TN432文献标识码:A文章编号:1003－353X(2015)02－0148－04FailureAnalysisoftheBurnoutinGaAsMMICBasedonFaultTreeAnalysisYangYang，JiaDongming，LinGang，QianFeng(NanjingElectronicDeviceInstitute，Nanjing210016，China)Abstract:TheGaAspowermonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)thatburnedinhightemperatureoperatinglife(HTOL)experimentswascarriedoutfailureanalysisbythefaulttreeanalysis(FTA)．Thesampleburnedinitsactiveareaanditshouldbecausedbyexcessivecurrentoroverhea-ting.ThetopeventofthefaulttreewasburnoutoftheGaAsPowerMMIC，thesub-factorsweredividedintothreeaspects:designdefect，internalfactorsandexternalfactors.Allthebranchescausingoverhea-tingorexcessivecurrentwerelistedandthefaulttreewascreated.Finally，thefaultwaslocatedingatesinkingafteronebyoneinvestigationofthefaulttree.Thisfailuremodemainlyoccurredinthesituationoflong-termhightemperature，itcan’tbeoccurredinnormaluse.Keywords:faulttree;GaAs;monolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC);failureanalysis;burnoutEEACC:2570发生的全部直接因素，直到那些故障机理已知的基本因素为止［2］。本文以一种烧毁的GaAs功率单片集成电路为例，建立故障树并对列举的故障进行逐一排查，发现器件的烧毁是与栅金属下沉相关，并对其烧毁过程进行了详细地分析。1故障样品与故障现象1.1故障样品本次分析使用的GaAs功率单片集成电路采用常用的三级电路拓扑结构，用0.35μm栅长的引言电子元器件的失效分析是借助各种测试技术和分析方法明确元器件的失效过程，分辨失效模式或机理，确定其最终的失效原因［1］。故障树分析法(faulttreeanalysis，FTA)是失效分析中常用的一种重要方法。它是把所研究系统的最不希望发生的故障状态作为故障分析的目标，然后找出直接导致这一故障发生的全部因素，再找出造成下一级事件0E-mail:yyang．live@gmail．com148半导体技术第40卷第2期2015年2月杨洋等:基于故障树分析法的GaAsMMIC烧毁失效分析櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphichighelectronmobilitytransistor，PHEMT)工艺制造而成。该芯片通过背面金属经过通孔接地，采用双电源工作，漏极电压Vds=8.5V，可在工作频段内提供41.2dBm的输出功率，功率增益为22dB。高温工作寿命试验条件为壳温180℃，样品在试验920h后出现烧毁失效。图1所示为失效样品的整体视图，图中有两处失效，一处为管胞烧毁，另一处为负荷电流的微带线熔断;图2为烧毁管胞的