C8051F340读写flash.docVIP

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C8051F340读写flash

// flash.c // 擦除、写和读 FLASH存储器 // 目标器件 C8051F340 // 开发工具 KEIL C51 /*****************************************************************************/ // 作者:牛余朋 // 现于北京一科研单位工作 // 可以私人承接电子产品开发 // 联系电话// QQ火牛 /*****************************************************************************/ #include C8051F340.h #include stdio.h #include flash.h //----------------------------------------------------------------------------- // MAIN Routine //----------------------------------------------------------------------------- unsigned char xdata data_array[DATA_SIZE]; WriteFlash(unsigned int address, unsigned char write_data) { unsigned char xdata *pwrite; // 程序存储器空间的指针 FLASH 指向待写地址 unsigned char i; //------------------第一步 // 首先读出参数整个扇区的数据 for(i=0;iDATA_SIZE;i++) data_array[i]=ReadFlash(i); //------------------第二步 // 下面开始擦除整个参数扇区的数据 EA=0; // 关全局中断 FLKEY = 0xA5; FLKEY = 0xF1; FLSCL = 0x80; // 设置 FLASH标度寄存器 对 2MHz 系统时钟 PSCTL = 0x03; // 将 PSWE 和 PSEE 置 1 MOVX 指令对应的 FLASH页 pwrite = DATA_SECTOR_ADDRESS; // 将指针指向待擦除页 *pwrite = 0; // 启动擦除过程 PSCTL = 0; // 清除 PSEE, PSWE //------------------第三步 //以上擦除完毕,开始根据指定的偏移地址改写缓冲区data_array[DATA_SIZE] data_array[address] = write_data; //------------------第四步 // 以上改写缓冲区data_array[512]完毕,现在开始将缓冲区data_array[DATA_SIZE]中的所有数据重新写入flash PFE0CN = 0; // Clear the FLBWE bit (register PFE0CN) to select single-byte write mode. PSCTL = 0x01; // Set the PSWE bit (register PSCTL) // Clear the PSEE bit (register PSCTL) for(i=0;iDATA_SIZE;i++) { FLKEY = 0xA5; // Write the first key code to FLKEY: 0xA5. FLKEY = 0xF1; // Write the second key code to FLKEY: 0xF1 *pwrite = data_array[i]; // 写入字节 pwrite++; } PSCTL = 0; // Clear the PSWE bit.禁止 FLASH写 EA=1; // 开全局中断 } unsigned char ReadFlash(unsigned int address) { unsigned char code *pread; // 程序存储器空间的指针 FLASH 指向待读地址 unsigned int test; EA=0;

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