【精选】电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题.pdfVIP

电子科技大学 2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：832 微电子器件 注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。 一、填空题（共45 分，每空1 分） 1 泊松方程的积分形式即是（ ）定理，它的物理意义是：流出一个闭合 曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（ ）。 2 PN 结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（ ）只存在于正向偏 压之下；（ ）的正负电荷在空间上是分离的；（ ）能用作变容二 极管。 3 锗二极管和相同掺杂浓度 相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（ ），正 向导通压降更（ ）。 4 碰撞电离率是指每个载流子在（ ）内由于碰撞电离产生的（ ） 的数目。电场越 （ ），材料的禁带宽度越 （ ），碰撞电离率将越大。 5 温度升高时，PN 结的雪崩击穿电压将 （ ），这是因为温度升高将导致晶格振动 加强，因而载流子的平均自由程（ ）。 6 MOSFET 用于数字电路时，其工作点设置在（ ）区和（ ）区； 双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（ ）区。 7 双极型晶体管的tb 既是基区渡越时间，又是（ ）电阻与（ ） 电容的乘积。 8 双极型晶体管的跨导代表其（ ）电流受 （ ）电压变化的影响。双 极型晶体管的直流偏置点电流 IE 越大，跨导越 （ ）；工作温度越高，跨导越 （ ）。（第三 四个空填 “大”或 “小”） 9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：IES （ ）ICS ； ICBO （ ）ICEO ； BVCBO （ ）BVCEO ；BVEBO （ ） BVCBO （填“ ”“ ”或“= ”） 10 当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（ ）零，发射结上的偏 压（ ）零。 （填“ ”“ ”或“= ”） 11 增加双极型晶体管的基区宽度将 （ ）厄尔利电压，（ ）基极电阻， （ ）基区输运系数。 12 NMOS 的衬底相对于源端应该接（ ）电位。当|VBS |增加时，其阈值电压将（ ）。 （第二个空填 “增大” “减小”或“不变”） 13 MOSFET 的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到 （ ）散射及电 离杂质散射作用外，还会受到（ ）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（ ） 体内载流子迁移率。当栅压|VGS|增强时，沟道内的载流子迁移率将 （ ）。（第三 个空填“ ”“ ”或“= ”，第四个空填 “增加” “降低”或“不变”） 14 对于N 沟道增强型MOSFE