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电荷耦合器件的工作原理及其最新成果 一、CCD器件的工作原理及性能指标 电荷耦合器件(Charge Coupled Device)是70年代初期最先由Bell实验室发明的。CCD是种利用半导体特性，将 接收到的光信号变为电信号的半导体功能器件，一般采用金属氧化物半导体结 构，利用栅电极下半导体表面附近的势垒中的电荷来存储和传输信息。CCD器件 以极高的灵敏度、极大的动态范围和宽广的光谱响应范围等特别引人注目。 30年来有关CCD的研究取得惊人的进展，特别是在图像传感器的应用方面，它可 以接收的光的波段比较宽，从200nm的紫外光到1100nm的红外光，覆盖了全部可 见光谱区，并且灵敏度高，动态范围宽，在弱光条件下仍可正常记录图像（在 天文望远镜里，由于大部分天体距离太远，能收集到的光非常弱，更需要灵敏 的接收器），响应速度快（信息的存取速度快），可以记录和传输瞬态图像和 随时间快速变化图像；增强型CCD（ICCD）有更快的响应速度，可以处理持续时 间更短的瞬态图像。CCD拥有大量的像元（4096×4096面阵），因此可以作为大 容量存储器；CCD空间分辨率高，可满足摄像机、照相机、扫描仪、天文望远镜 和光谱仪等设备对图像传感器的要求。 （一）CCD器件的工作原理 CCD器件的基本阵元是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semico nductor)电容。如图1 所示, 在p型硅衬底上覆盖二氧化硅绝缘层，其上制备一金属电极，这就构成了金属- 氧化物- 半导体(MOS)电容.MOS阵元在V =0时，其p型半导体中的多数载流子(空穴)的分 G 布是均匀的。当0V V (V 是半导体材料的阈值电压)时，空穴被排斥，产生 G th th 耗尽层。随着V 的升高，耗尽层向体内扩张。而当V V 时，半导体与氧化物界 G G th 面的电势使体内少数载流子(电子)聚集形成约10- 2 m 的反型层，其电荷密度极高。这说明MOS阵元具有积累电荷的能力。 图1 MOS电容 MOS阵元在金属栅与硅衬底之间加有偏压V 时形成势阱。当光照射到硅片时 G ，光子的注入引起电子- 空穴对的形成。多数载流子(空穴)被栅极排斥，而少数载流子(电子)则积累于 势阱中。积累的电荷量正比于照射强度。 图2 栅极电压变化对耗尽层的影响 光注入引起的电荷积累总量Q 可由下式表述 ip Q  n A T ip q eo e 式中 为材料的量子效率，q为电子电量，neo 入射光子流速率, A为受光面积和，T 为注入时间。这说明对选定的受光面积A，光注入引起的电 e 荷积累和入射光强与照射时间的乘积成正比。这一结果与照相底板的特性非常 相似。 图3 电荷在相邻的MOS单元中迁移示意图 CCD器件有线阵和面阵两种。顾名思义一维排列的MOS阵元构成线阵CCD，常 见的有256，512，1024，2048，4096等。而面阵CCD显而易见是矩阵排列的MOS 阵元族。如512×512，1024×1024 等。 对CCD器件而言，检测各个MOS阵元所积累的电荷(Read out)是关键技术。图3示出三相驱动的电荷传输过程。假定V1所连接的电极下积 累有电荷，此时V2，V3均为“负”极性。首先V2由负跳变为正，原先积累于V1 下的电荷部分向V2下势阱转移，为两个MOS阵元所共有。随之V1的极性变为负， 电荷全部移到V2下的势阱中。再往后V3由负变为正，电荷变为V2，V3下的