砷化铟量子点的光电性质 - 中华民国物理学会 The .docVIP

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2017-12-13 发布于天津
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砷化量子的光性文詹摘要零的量子具有三限的子及函形式的能密度高效能的光子元件提供材的新研方向砷化成在砷化磊晶上的量子可用以造或的雷射用於距的光通初步已可藉著量子大小被覆成分及雷射元件而可生雷射光但高品的晶方法制以及量子子的能生命期度的相性仍未充分解本文主要砷化量子的成光特性予系性的述一量子展史介自一九七年代至今低度半量子的研究已有三十年之史而族量子井的子或光元件也已商品化由於低度的一子限造使得高速的子元件或高效能的光感元件得予西元一九八二年教授指出量子具有三子限及函形式的能密度於量子雷射的效能如低

砷化銦量子點的光電性質文／詹國禎摘　要零維的量子點具有三維侷限的載子及δ函數形式的能態密度，對高效能的光電子元件提供材質與結構的新研發方向。砷化銦成長在砷化鎵磊晶層上的量子點可用以製造1.3 μm或1.55 μm的雷射，並應用於長距離的光纖通訊。初步已証實可藉著量子點大小、被覆層成分及雷射元件設計而可產生1.3 μm雷射光，但高品質的長晶方法與機制，以及量子點內載子的能階、生命期與溫度的相關性，仍未充分瞭解。本文主要針對砷化銦量子點的成長、結構與光學特性，給予系統性的評述。一、量子點發展史簡介自一九七○年代至今，低維度半導體量子結構的研究已有三十年之歷史，而Ⅲ-Ⅴ族量子井結構的