第5章MOS反相器.docVIP

填空题 解答题 1、 请给出NMOS晶体管的阈值电压公式，并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响（即各项在不同情况下是提高阈值还是降低阈值）。 ? 【答案：】 ? 2、 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响 ? 【答案：】 ? 器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当VgsVth时MOS器件仍然有一个弱的反型层存在，漏源电流Id并非是无限小，而是与Vgs呈现指数关系，这种效应称作亚阈值效应。????? 影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。 3、 MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响 ? 【答案：】 ? 短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象????? 影响： 由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。 4、 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响 ? 【答案：】 ? 对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压 ，此时不存在衬偏效应。而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压 0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。?????? 影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。 5、 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响 ? 【答案：】 ? MOS晶体管存在速度饱和效应。器件工作时，当漏源电压增大时，实际的反型层沟道长度逐渐减小，即沟道长度是漏源电压的函数，这一效应称为“沟道长度调制效应”。????? 影响：当漏源电压增加时，速度饱和点在从漏端向源端移动，使得漏源电流随漏源电压增加而增加，即饱和区D和S之间电流源非理想。 6、 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应） ? 【答案：】 ? 晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，呈现非饱和特性；而当漏源电压超过一定值时，由于载流子速度饱和（短沟道）或者沟道夹断（长沟道），其漏源电流基本不随漏源电压发生变化，产生饱和特性。 7、 给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值 ? 【答案：】 ? VinVT0时，MI处于截止状态，不产生任何漏极电流。随着输入电压增加而超过VT0时，MI开始导通，漏极电流不再为0，由于漏源电压VDS=Vout大于Vin- VT0，因而MI初始处于饱和状态。随着输入电压增加，漏极电流也在增加，输出电压Vout开始下降，最终，输入电压大于Vout+ VT0，MI进入线性工作区。在更大的输入电压下，输出电压继续下降，MI仍处于线性模式。传输特性曲线如图示：  1）VinVT0时，MI截止，Vout= VOH= VDD ?? 2）Vin= VOH=VDD时，Vout=VOL MI：VGS=Vin=VDD VDS=Vout=VOL VDSVGS-VT0 MI非饱和导通 ????? IR=(VDD-Vout)/RL=(VDD-VOL)/RL ? IM=KN〔(VGS- VT0)VDS- 1/2VDS2〕 ?= KN〔(VDD- VT0) VOL- 1/2VOL2〕 ??????????? IM=IR ??????????? VOL=VDD-VT0+1/KNRL- 为使VOL0，要求KNRL?1 为使VOL0，要求KNRL 1? 3）Vin=VIL时, MI：VGS=Vin=VIL VDS=Vout VDSVGS-VT0 MI饱和导通 ????? IR=(VDD-Vout)/RL IM=1/2 KN?(VGS?- VT0)2 ?????????????? =1/2 KN?(Vin?- VT0)2 ??????????? IM=IR，对Vin微分，得： ?? -1/RL(dVout/dVin)= KN?(Vin?- VT0) dVout/dVin=-1 ∴VIL=Vin=VT0+1/KNRL ∴此时Vout=VDD-1/2KNRL 4）Vin=VIH时, MI：VGS=Vin=VIH VDS=Vout VDSVGS-VT0 MI非饱和导通 ?