第五章场效应管放大电路2.ppt

5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： 共射 晶体管 场效应管 共源 共集电极 共漏 共基 共栅 电压增益： 晶体管 场效应管 共射 共集电极 共基 共源 共漏 共栅 输出电阻： 输入电阻： 5.5 各种放大器件电路性能比较 晶体管 场效应管 共射 共集电极 共基 共源 共漏 共栅 共射 共集电极 共基 共源 共漏 共栅 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电。 * 《模拟电子技术》 SiO2 N沟道增强型MOS管结构示意图及符号 5.1.2 绝缘栅型场效应管(MOSFET) P型硅衬底 源极S 栅极G 漏极D 衬底引线B N+ N+ D B S G 符号 1. 结构和符号 一、N沟道增强型MOS管 四种类型： N沟道增强型；N沟道耗尽型； P沟道增强型； P沟道耗尽型。 图5.1.6 SiO2 图5.1.7(a) 工作原理图 P型硅衬底 耗尽层 衬底引线B N+ N+ S G D UDS ID = 0 D与S之间是两个 PN结反向串联， 无论D与S之间加 什么极性的电压， 漏极电流均接近 于零。 2. 工作原理 (1) UGS =0 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 ID = 0 (2) 0 UGS UGS(th) 由柵极指向衬底方 向的电场排斥 P 区 空穴向下移动,在P 型硅衬底的上表面 形成耗尽层仍然没 有漏极电流。 UGS N+ N+ UDS 图5.1.7(b) 工作原理图 P型硅衬底 N + + B S G D 。 UDS 耗尽层 ID 栅极下P型半导体中 少子被吸引内至其表 面，形成N型导电沟 道—反型层，当D、S 加上正向电压后可产 生漏极电流ID 。 (3) UGS UGS(th) N+ N+ UGS 增强型MOS管的iD与uGS的近似关系为： 其中IDO是uGS=2UGS(th)时的iD 图5.1.7(c) 工作原理图 N型导电沟道 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V iD /mA UDS =10V 图5.1.8 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 恒流区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 uGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 uDS / V iD /mA 夹断区 二、N沟道耗尽型MOS管 P型硅衬底 源极S 漏极D 栅极G 衬底引线B 耗尽层 1. 结构特点和工作原理 N+ N+ 正离子 N型沟道 SiO2 D B S G 符号 图5.1.9 N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号 4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 耗尽型NMOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 uGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) uDS / V UDS =10V iD /mA iD /mA N型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 PMOS管结构示意图 P沟道 三、P沟道绝缘栅场效应管（PMOS） PMOS管与NMOS管 互为对偶关系，使用 时UGS 、UDS的极性 也与NMOS管相反。 P+ P+ UGS UDS ID 1. P沟道增强型绝缘栅场效应管 开启电压UGS(th)为 负值，UGS UGS(th) 时导通。 S G D B 符号 iD /mA uGS / V 0 UGS(th) 转移特性 2. P沟道耗尽型绝缘栅场效应管 D B S G 符号 iD /mA uGS /V 0 UGS(off) 转移特性 夹断电压UGS(off)为 正值， UGS UGS(off) 时导通。 注: 场效应管的符号及 特性如图所示 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 直流通路 共源极放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结