C.GIS中VFTO的等效时变电压源模型.docVIP

GIS中VFTO辐射干扰的场-路-波协同仿真 刘莹 ANSYS Inc. 北京, 中国 ying.liu@ 赵学永 ANSYS Inc. Canonsburg, Pennsylvania, USA robert.chao@ 摘要—超高压气体绝缘开关设备（GIS）中的隔离开关操作产生的特快速瞬态过电压（VFTO）会对开关及其周围设备产生严重的干扰。针对这一工程问题，本文给出了VFTO辐射干扰的场-路-波协同仿真方法。论文结合工程实例，首先用准静态电磁场分析方法提取了GIS的等效电路，结合开关电弧的时变电阻模型，应用宽带电路方法得到VFTO的等效时变电压源，最后利用时域瞬态全波方法仿真了VFTO在空间内的电磁场干扰。论文方法对于高压开关的设计具有参考意义。 Keywords—GIS; VFTO; 辐射干扰; 仿真 引言 超高压气体绝缘开关设备（GIS）中的隔离开关操作产生的特快速瞬态过电压（VFTO）具有幅值高、频率高和脉冲上升沿陡的特点，不仅对开关及其连接设备的绝缘有影响，而且其引发的瞬态电压会对周围设备产生严重的电磁干扰，甚至影响人身安全。随着电力系统电压等级的提高，GIS设备中的VFTO影响愈加突出。因此，从二十世纪八十年代开始，国内外学者开始在机理研究、试验测试和数值仿真等方面展开对GIS设备的VFTO影响的研究【1,2】。 由于VFTO的特性与GIS系统中的接线方式密切相关，难以通过实验得到各种状态下的VFTO特性，所以数值仿真是研究GIS中的VFTO特性的重要手段【1】，尤其是在GIS的设计阶段。因此，很多的国内外研究者进行了GIS中VFTO数值仿真的研究【3,4,5】。其中，VFTO的电磁辐射波形及其空间分布是GIS设计阶段需要仿真获得重要参数。 VFTO的特性是由开关结构参数、阻抗及电弧电阻的模型决定的【4,5】。而现有时域电磁场分析方法中，无法将电弧电阻的时变模型直接加入数值仿真中，因此多采用PSCAD等电路仿真工具，对GIS母线端的VFTO进行仿真。这种方法无法得到VFTO在线外空间的场分布，也不能考虑金属材料中的趋肤效应等损耗特性【5】。另外，电路元件值一般是利用传输线模型进行简化求解，没有考虑几何结构、材料参数等对于等效集总参数的影响【1，4】。 为了提高GIS中VFTO的计算精度，准确估算其产生的干扰辐射。本文利用电场计算方法提取GIS结构的等效电路元件值，这种方法考虑了GIS几何结构和材料特性。进一步地，将电弧的时变电阻模型代入等效电路模型中，求取相应的时变电压。再以时变电压为等效源，利用电磁场时域全波方法求取VFTO在空间中的辐射干扰。从而实现了GIS中VFTO辐射干扰的静电场方法、电路方法和电磁场全波方法相协同的准确仿真流程。 论文首先介绍了GIS中的VFTO产生的基本原理，和静电场、电路方法以及电磁场全波方法的仿真工具原理。然后给出了GIS中VFTO辐射干扰的场-路-波仿真流程。以实际工程为例，针对某型实际GIS结构，给出了其等效电路，结合开关电弧时变电阻模型，求出等效时变电压辐射源，从而给出了VFTO辐射干扰的空间分布。 基本理论 GIS中的VFTO辐射干扰的原理 超高压气体绝缘开关设备（GIS）是将高压开关设备及母线封闭在一个接地的金属壳内，壳内充以3-4个大气压的气体作为相间及对地绝缘，如图1所示。 图1、 气体绝缘开关设备（GIS） 其中开关的结构如图2所示，由于隔离开关的速度仅为，且没有灭弧装置，每一次操作都会引起很多次的复燃。触头间的电压在纳秒时间内变化，其电压陡波在GIS中反复传播，形成幅值很高的瞬态过电压（VFTO）。 因此，VFTO的特性由开关电弧特性、GIS母线结构和参数、所连接的负载和集总元件的结构和参数决定。VFTO不仅影响系统的绝缘水平，而且通过外壳连接的非屏蔽部分辐射到环境中，对周围的二次设备产生严重的干扰，如图2所示。 黄色介质覆盖 开关 图2、 GIS中VFTO透过介质覆盖产生外部辐射干扰 电磁结构的准静态场模型及其等效参数提取方法—Q3D软件 Ansys Q3D软件可以对需要仿真的电子电气结构建立几何模型，或者导入已有的机械CAD数据模型，并对模型中结构定义材料属性、激励源特性等，则可对模型进行电磁性能分析，提取电子结构中等效的电阻、电感、电容和电导（RLCG），从而获得模型的RLCG等效电路。 Q3D的分析结果可以同Ansys Designer软件直接建立动态链接，以N端口器件的形式供Ansys Designer软件调用分析电子结构的时频域电路响应特性。 电磁结构的瞬态电路响应仿真—Designer软件 Ansys Designer软件集成了电磁场和电路系统仿真功能，可以通过动态链接与Ans