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K4体系KTP晶体的制备及其性能
30 5 硅 酸 盐 通 报
第 卷 第 期 Vol． 30 No． 5
2011 10 BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY October ，2011
年 月
K4 体系KTP 晶体的制备及其性能研究
， ， ， ， ， ，
葛世艳 师瑞泽 肖亚波 李 祯 张 杰 姜秀丽 王立弟
( ， 1000 18)
烁光特晶科技有限公司 北京
: K P O KTP ， 、 ，
摘要 本文选用 4 2 7 助溶剂体系生长 晶体 所生长的晶体具有低吸收率和蓝 绿光波段抗灰迹性能 确定其
KTP / K4 = 0 ． 8 mol / mol ， 850 ℃ ， 820 ℃
最佳生长配比为 测定其饱和点为 左右 从饱和点缓慢降温到 所生长晶体质量
， PCI 、 、 。 : ，
最佳 并对其进行了 抗灰迹吸收测试 倍频效率测试 电导率测试 结果表明 在同样原料纯度的情况下 吸收
K6 KTP ;1064 nm Q 61． 8% ( KTP
系数只有普通 体系 晶体的十几分之一 调 到绿光的转化效率为 普通 转化效率为
50% );1 kV ，Z 10-10 S / cm ， K6 KTP 2 ～ 3
在 直流长时间加压条件下 向电导率达到 量级 较普通 体系生长的 晶体低
个数量级。
: ; ;K P O
关键词 磷酸氧钛钾 抗灰迹 4 2 7 助溶剂
中图分类号:O78 文献标识码:A 文章编号:1001-1625 (2011)05-1072-05
Research on Preparation and Properties of KTP Crystal
Grown from K4 Flux System
GE Shi-yan ，SHI Rui-ze ，XIA O Ya-bo ，LI Zhen ，ZHANG Jie ，JIANG Xiu-li ，WANG Li-di
(Bright Crystals Technology Inc． ，Beijing 1000 18 ，China)
Abstract :The KTP crystal was grown from K P O (K4 )flux system (It was called GKTP)． The best
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