- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
国立西螺农工电子学第九章FET小信号分析.doc
國立西螺農工 電子學 第九章 FET小信號分析 命題
教師 班級 電機、綜高 座號 姓名 ( B ) 1. 如圖所示為共源極MOSFET放大電路,若,,則其電壓增益約為 (A) -10 (B) -4 (C) 10 (D) 4
( D ) 2. 如圖所示電路,假設N通道MOSFET電晶體工作點之ID=0.6mA,臨界(threshold)電壓,電容器視為無窮大,試求其小訊號電壓增益為何 (A) -10 (B) -8 (C) -6 (D) -4
(1)因MOSFET之輸入阻抗為,故,(2),,(3)m(4)
( D ) 3. 如圖所示電路,試問何者電阻是利用米勒(Miller)效應來提升輸入阻抗 (A) (B) (C) (D)
此電路可利用源極隨耦器加上米勒效應轉換,將可大幅提高其輸入阻抗
( A ) 4. 如圖,其中VDD=10V,RS=100Ω,gm=5m(A/V),rd=20kΩ,試求Ri、Ro、AV= (A) Ri=1.2MΩ,Ro=3kΩ,AV=-3.44 (B) Ri=1.2MΩ,Ro=5kΩ,AV=-6.67 (C) Ri=∞Ω,Ro=4kΩ,AV=-6.67 (D) Ri=1.5MΩ,Ro=10kΩ,AV=6.67
Ri=RG//∞Ω=RG=1.2MΩ,Ro=RD//[rd+(1+μ)×RS]=4k//[20k+(1+100)×100]≒3.53kΩ(μ=gm×rd=5m×20k=1),≒-3.44,故選Ri=1.2MΩ,Ro=3kΩ,AV=-3.44
( B ) 5. 同上題,其電壓增益為 (A) (B) (C) (D)
◆詳解:
( D ) 6. 如圖之電路,其輸出阻抗(不包含RD)為 (A) rd+μRS (B) (C) (D) rd+(μ+1)RS
CSRo=rd+(μ+1)×RS
( D ) 7. JFET之放大電路如圖所示,若rd RD,RS ,(μ+1)RS RD,則其放大倍數為 (A) -gmRD (B) -gmrd (C) (D)
,(1)∵rdRD ∴AV≒=≒(2) ∴AV≒
( A ) 8. 下列敘述何者有誤 (A) (B) μ=gm×rd (C) (D)
( B ) 9. 對於圖中FET之電路,若gm=2mA/V,rd=∞,下列敘述何者錯誤 (A) Rin=1MΩ (B) (C) Ro=Ri並聯 (D) 本電路屬於源極隨耦放大電路
此電路為源極隨耦放大電路∴ AV必小於1,故錯
( D )10. 如圖所示為CD放大器,試求Vo端看進去之阻抗約為 (A) 1Ω (B) 500Ω (C) 400Ω (D) 250Ω
( A )11. 對一具有源極旁路電容器之共源極放大器,如將其旁路電容器移走時,則 (A) 電壓增益降低 (B) 電壓增益增加 (C) 互導降低 (D) 互導增加
源極電阻RS有負回授之作用,可提高放大器之穩定度,但會降低電壓增益,在RS旁邊並聯一個旁路電容,對交流而言,CS視為短路,可消除RS所產生之負回授,提高電壓增益,若將CS移除,則RS將產生負回授,電壓增益下降
( D )12. 圖中,若gm=1mA/V Vi=30mV,則Vo= (A) 300 (B) 150 (C) 30 (D) 15 mV
, m=15mV
( A )13. 如圖之電路,設gm=7500微姆歐(μ),RS=600歐姆,則該電路之電壓增益為 (A) 0.82 (B) 1.26 (C) 11.52 (D) 24.63
≒0.82
( B )14. 如圖場效電晶體,gm=10m,rd=40kΩ,試求= (A) 45.33 (B) 57.14 (C) 32 (D) 70
AV==-gm×(20k//40k//10k)≒-10m×5.714k=57.14
( C )15. 如圖電路中設gm=5000μs,若Vin=10mV的信號,其輸出電壓約為 (A) 36.4mV (B) 64.4mV (C) 73.9mV (D) 0.74V
(1)RS因電容對交流短路而短路(2)此題沒給rd,rd視為 故AV=-gm×(rd // RD // RL)≒-gm×(RD //RL)=-5m×(1.5k//100k)≒-7.39,∵ ∴Vo=AV×Vi=-7.39×10m=-73.9mV
( C )16. 如圖,若rd=20kΩ,IDSS=16mA,Vp=-4V,VGS=-2V,則該電路的電壓增益為 (A) -2.67 (B) -4 (C) -8 (D) -10
,AV
文档评论(0)