纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性.PDFVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ １０ 犞狅犾．２９ 犖狅．１０ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ １０ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犗犮狋．２００８ 纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性  赵晓锋 温殿忠 　 （黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室，集成电路重点实验室，哈尔滨　１５００８０） 摘要：给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器，采用 犔犘犆犞犇法在衬底温度 ６２０℃时制备纳米多晶硅薄膜，基于 犕犈犕犛技术 在方形硅膜不同位置制作由 个薄膜厚度为 的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构，实现对外加压力的 ４ ６３０狀犿 检测 实验结果表明，当硅膜厚度 时，纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源 供电时，满量程（ ）输出为 ． ７５犿 ５０犞 １６０犽犘犪 μ ，灵敏度为 ／ ，精度为 ，零点温度系数和灵敏度温度系数分别为 ／ 和 ２４２３５犿犞 ０１５１犿犞 犽犘犪 ０５９％犉．犛 －０１２４％ ℃ ／ －０１０８％ ℃． 关键词：纳米多晶硅薄膜；犕犈犕犛技术；压力传感器；温度系数 ： 犈犈犃犆犆 ７２３０ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犘２１２ 犃 ０２５３４１７７２００８１０２０３８０５ 　　　 　　　 行 测试分析， 线管为 （ ），功率参 犡犚犇 犡 犆狌０１５４０６０狀犿 引言 数为 ， ，扫描角度在 图 给出 ４００犽犞 ４００犿犃 ２０° ６０°． ２ １ ～ 　 薄膜厚度为 ６３０狀犿纳米硅薄膜 ６２０℃沉积态和 ７００， 多晶硅压力传感器与单晶硅压力传感器相比，因具 ， 不 同退火温度 的 图，测试结果表 ８００９００℃ 犡犚犇 有制作工艺简单、灵敏度高和一定的高温特性等特点，