梯形截面半导体量子线结构应力和应变分布的解析解-上海大学学报.pdfVIP

第１８卷 第１期 （自然 科 学 版） Ｖｏｌ．１８Ｎｏ．１ ２０１２年２月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＨＡＮＧＨＡＩＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮＡＴＵＲＡＬＳＣＩＥＮＣＥ） Ｆｅｂ．２０１２ 　　ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００７２８６１．２０１２．０１．０１５　 梯形截面半导体量子线结构应力和 应变分布的解析解 １ １，２ 黄灵峰 ，　徐凯宇 （１．上海大学 上海市应用数学和力学研究所，上海２０００７２；２．上海大学 理学院，上海２００４４４） 摘要：在各向同性弹性理论的假设下，运用解析方法对量子线结构进行分析，通过对格林函数的积分运算，得到无 限大基体内横截面为梯形的量子线结构的应力和应变场的解析解．另外，还讨论了量子线横截面的高度和初始失配 应变变化对应变分布的影响． 关键词：量子线；初始失配应变；应力应变分布；解析解 中图分类号：Ｏ３５５　　　　　文献标志码：Ａ　　　　　文章编号：１００７２８６１（２０１２）０１００７２０４　 ＡｎａｌｙｔｉｃａｌＳｏｌｕｔｉｏｎｏｆＳｔｒｅｓｓａｎｄＳｔｒａｉｎＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｉｎ ａＴｒａｐｅｚｏｉｄａｌＣｒｏｓｓＳｅｃｔｉｏｎＱｕａｎｔｕｍＷｉｒｅＳｔｒｕｃｔｕｒｅ １ １，２ ＨＵＡＮＧＬｉｎｇｆｅｎｇ，　ＸＵＫａｉｙｕ （１．ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓａｎｄＭｅｃｈａｎｉｃｓ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ； ２．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２００４４４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＢａｓｅｄｏｎｔｈｅｉｓｏｔｒｏｐｉｃｅｌａｓｔｉｃｔｈｅｏｒｙａｎｄｕｓｉｎｇｔｈｅｉｎｔｅｇｒａｌｏｐｅｒａｔｉｏｎｆｏｒＧｒｅｅｎ’ｓｆｕｎｃｔｉｏｎ， ａｎａｌｙｔｉｃａｌｓｏｌｕｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅｓｔｒｅｓｓａｎｄｓｔｒａｉｎｆｉｅｌｄｓｉｎｓｉｄｅａｎｄｏｕｔｓｉｄｅａｔｒａｐｅｚｏｉｄａｌｃｒｏｓｓｓｅｃｔｉｏｎｑｕａｎｔｕｍ ｗｉｒｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎａｎｉｎｆｉｎｉｔｅｍａｔｒｉｘａｒｅｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓｏｆｖａｒｉａｂｌｅｈｅｉｇｈｔｆｏｒｔｈｅｑｕａｎｔｕｍｗｉｒｅ ｃｒｏｓｓｓｅｃｔｉｏｎａｎｄｉｎｉｔｉａｌｍｉｓｍａｔｃｈｓｔｒａｉｎｏｎｔｈｅｓｔｒａｉｎｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｑｕａｎｔｕｍｗｉｒｅ；ｉｎｉｔｉａｌｍｉｓｍａｔｃｈｓｔｒａｉｎ；ｓｔｒｅｓｓａｎｄｓｔｒａｉｎｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ；ａｎａｌｙｔｉｃａｌｓｏｌｕｔｉｏｎ ［５］ 　　近年来，对低维半导体材料的研究是人们关注的 广泛应用的一种重要方法 ．由于在低维半导体材 ［１４］ 热点问题之一 ．低维半导体材料，即纳米半导体材 料生长初期，基体上的成核是无序的，故其大小、密 料，具有与基底材料截然不同的性质．随着材料维度 度及其在空间的有序性难以控制．因此，从理论上弄 的降低和结构特征尺寸的减小（不大于 １００ｎｍ）， 清量子线等半导体微结构的应力分布，并从实验上 量子尺寸效应、量子干涉效应、量子隧穿效应、库仑 加以控制，实现有序可控生长，对于制备出实用化的 阻塞效应以及多体关联和非线性光