半导体物理与器件11——第九章.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 利用隧道效应形成欧姆接触 Ec EF Ev EF 掺杂浓度增大，隧道几率增大 有效质量越小，越利于隧穿 隧道电流和势垒高度也有关系 n++ n M 接触电阻 接触电阻Rc 对于低掺杂的整流接触来说，电流-电压关系为热电子发射机制，因而单位接触电阻为： I-V曲线在零偏下斜率的倒数 对于低掺杂金-半接触来说，接触电阻强烈依赖于势垒高度ΦBn 对于高掺杂浓度的金属-半导体结来说，隧道效应将起到主要作用。其单位接触电阻为： 当掺杂浓度低于1017时，金-半接触主要为热电子发射机制；当浓度大于1019时，隧道效应将占据主导地位；在两者之间时，则两种电流成分兼有。 制作欧姆接触需要提高表面掺杂和降低界面势垒。但实际上欧姆接触的制作需要大量的实践经验。对于禁带宽度比较大的半导体来说，欧姆接触的制作更加困难。 高掺杂的金属-半导体结的接触电阻强烈依赖于掺杂浓度 扩散界面和合金化 实际金属-半导体界面总是一个过渡界面，这来源于金属和半导体原子的相互扩散（典型为10个原子层厚度） 在一定温度（200oC~800oC）进行退火会加剧这种互扩行为，从而使过渡区更宽。 金属-半导体原子之间可能只是简单共熔，也可能形成由特定比例金属原子和半导体原子构成的化合物，如硅化物；硅化物一般为多晶态，大小与金属的晶粒相当，表现出金属性。由于退火导致金属扩散至半导体内部，形成金属化的硅化物区域，因而避开了表面沾污，表面悬挂键形成的表面态的影响，因而可以更稳定的形成欧姆接触 一般而言，无论是哪种欧姆接触方式，都要求半导体尽量高的掺杂浓度 一般需要在一定的温度下进行退火 实际的欧姆接触制作往往极端依赖于半导体材料的重掺杂，表面处理、金属和退火工艺。实际经验在欧姆接触的制备过程中是非常重要的。 §9.3半导体异质结 半导体异质结是指由两种不同的半导体材料构成的结；由于形成异质的两种材料通常具有不同的禁带宽度和电子合能，异质结的能带图是可以多种多样的；与两种材料的不同性质相连系，异质结具有许多独特的性质。原则上讲它不仅能给器件的设计提供更多的自由度，而且可能提供新的技术利用。 一个良好的异质结要求有小的界面态密度；过高的界面态密度会使异质的电学性质劣化，这是许多异质结常常面临的问题，形成异质结的两种材料的晶格常数应是相近的，晶格常数的失配会在界面产生大量的悬挂键，从而形成大量界面态。 半导体异质结可根据材料的导电类型分成同型异质结和异型异质结 半导体异质结构的形成往往依赖于高精度的外延技术，如MBE、MOCVD等 由于构成异质结的是不同的材料，它们的晶格常数一般是不相同的，所以在异质结中晶格失配是不可避免的。由于晶格失配，在两种半导体材料的交界处产生了悬挂键引入界面态，从图中可以看出，在异质结交界面处，在晶格常数小的半导体中出现了一部分不饱和悬挂键。 导电类型相同的材料构成的异质结称为同型异质结； 如：n-N Ge-Si，n-N Si-GaAs，p-P Si-GaP ； 导电类型相反的材料构成的异质结称为异型异质结； 如：p-N Ge-GaAs,n-P Ge-GaAs； 在以上所用的符号中，一般都是将禁带宽度较小的材料写在前面 几种几种不同的异质结能带组合方式 能带组合方式：跨骑、交错、错层 不同的能带组合方式结合不同的导电类型组合，形成了种类丰富的异质结结构 跨骑 交错 错层 真空能级 异质结的能带图结构主要由两个因素决定：接触带边的能量不连续（由材料决定）和内建势垒（由掺杂决定） AlxGa(1-x)As GaAs 掺杂水平不同的pN结 nN结与二维电子气 E1 E2 V(z) z 异质结的性质和其界面上的能带不连续性有极大的关系，利用异质结的这种性质，可以制成多种具有特殊效应的器件。 半导体发光管和激光器LED、LD：半导体异质结带边势垒对载流子和光场的限制 异质结双极晶体管HBT：利用异质结的超注入性质 高电子迁移率晶体管HEMT：利用异质结带边处量子阱的二维电子气（2DEG） 量子阱及超晶格结构。 半导体异质结的应用举例： 半导体发光 Ec P型区 Ec Ef E0-E N型区 Ev hν≈Eg 半导体与诺贝尔奖： 1956年 肖克莱、巴丁、布拉顿——晶体管 1973年 江崎——半导体隧道效应 1998年 布劳克林、斯托默、崔琦——量子霍尔效应 2000年 基尔比——集成电路；克雷默——半导体异质结 虞丽生 《半导体异质结物理》科学出版社 施敏 《现代半导体器件物理》科学出版社 小结 轻掺杂的半导体上金属和半导体形成整流接触，称为肖特基接触 肖特基接触的整流机理：热电子发射 肖特基二极管的IV特性和P