残余应力对SrRuO3薄膜磁学及电输运性能的影响-无机材料学报.PDFVIP

下载本文档

25
0
约2.29万字
约 6页
2017-12-22 发布于天津
举报
版权申诉

残余应力对SrRuO3薄膜磁学及电输运性能的影响-无机材料学报.PDF

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

残余应力对SrRuO3薄膜磁学及电输运性能的影响-无机材料学报

第32 卷第 1 期无机材料学报 Vol. 32 No. 1 2017 年1 月 Journal of Inorganic Materials Jan., 2017 文章编号: 1000-324X(2017)01-0075-06 DOI: 10.15541/ji 残余应力对 SrRuO3 薄膜磁学及电输运性能的影响 1,2 2 2 1 2 朱明康 , 董显林 , 陈莹 , 丁国际 , 王根水 (1. 上海大学环境与化学工程学院, 上海200436; 2. 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海200050) 摘要: 采用射频磁控溅射法在单晶 SrTiO3 (STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3 (SRO)薄膜, 对薄膜的残余应力进行了分析, 并研究了应力对不同取向 SRO 薄膜磁学性能与电输运特性的影响。根据 X 射线衍射 (XRD)结果分析可知, Si 基SRO 薄膜为多晶单轴取向薄膜, 且应力来源主要为热失配拉应力; STO 基SRO 薄膜为外延薄膜, 其应力主要为热失配压应力和外延压应力; 磁学性能测试表明, (001)取向 SRO 薄膜比(110)取向薄膜拥有更高的居里温度T ; 压应力提高了(001)取向SRO 薄膜的T , 却降低了(110)取向薄膜的T 。电阻性能测试表明, 对 C C C 于在同种类型衬底上沉积的SRO 薄膜, (001)取向的薄膜的剩余表面电阻比(RRR)高于(110)取向的薄膜。另外, 拉应力引起了薄膜微结构的无序度增加, 弱化了表面电阻率的温度依赖性, 提高了金属绝缘体转变温度(TMI) 。关键词: 钌酸锶; 取向; 残余应力; 磁学性能; 电输运特性中图分类号: TQ174 文献标识码: A Effect of Residual Stress on Magnetic and Electrical Transport Properties in SrRuO3 Thin Films 1,2 2 2 1 2 ZHU Ming-Kang , DONG