CCD成像技术及其在遥感中的应用第三章 CCD的主要性能指标.ppt

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CCD成像技术及其在遥感中的应用第三章 CCD的主要性能指标

CCD成像技术及其在遥感中的应用 第三章 CCD的主要性能指标 内容 CCD的主要性能指标 量子效率QE和响应度R 暗电流和暗电流噪声 噪声和信噪比 动态范围 实例说明 CCD性能指标测试标准 小结 CCD的主要性能指标 轨道高度(H) 地面像元分辨率(GSD) 系统静态传递函数(MTFsys) 光谱波段(BW) 地面覆盖宽度 最小太阳高角(?)时信噪比(SNR) 相机质量(M) 相机功耗(P) CCD的主要性能指标 CCD的主要性能指标 CCD的主要性能指标指的是对系统性能产生主要影响的指标。 主要性能:量子效率QE(响应度R)、饱和曝光量SEE、传递函数(MTFCCD )、噪声n、暗电流等。 其它性能:像元尺寸、像元数、电荷转移效率、响应非均匀性、环境适应能力等。 CCD的主要性能指标 CCD的主要性能指标 量子效率QE和响应度R 可以用量子效率计算响应度,响应度的单位是A/W或 。计算公式如下: 量子效率QE和响应度R 在CCD工作过程的最后一步,将电子电荷转换为电压,电荷转换因子CVF为: 量子效率QE和响应度R 举例 一个行间转移CCD器件的填充系数为50%,像元面积是11.4μm×13.8μm,电荷转换因子CVF为6μV/е-。如果量子效率?在0.6μm是 0.8 计算以V/?J/cm2为单位的响应度。Ap=7.87×10-7cm2。常数hc是1.99×10-25 J.m/photo。将数值代入3-4: 量子效率QE和响应度R 遥感相机CCD靶面上辐照量的计算: 条件:无穷远面发光目标,发光目标为朗伯体,发光强度与方向无关,辐出度为M0(W/m2)。 相机入瞳处辐亮度L为: 量子效率QE和响应度R 遥感相机CCD靶面辐照度 为: 量子效率QE和响应度R 有些CCD的响应度是以光度参数给出的,如R的单位是V/lx.s。当以光度参数给出响应度时,需要指定光源的色温。有时需要进行辐射度参数与光度参数之间的转换。 暗电流和暗电流噪声 暗电流对CCD成像的影响: 降低了动态范围; 增加了CCD噪声。 暗电流和暗电流噪声 在不同暗电流密度(nA/cm2)下,暗电流(e-/sec/pixel)与温度(°C)的关系曲线。 暗电流和暗电流噪声 为了将暗电流降低一倍,工作温度25°C时, 需要将温度降低 8°C ;-50°C时, 需要降低 4.8°C ;而 -100°C 时,只需降低2.9°C。 暗电流和暗电流噪声 TI公司TC271 在27℃时, Jdc=100 pA/cm2 ; 阵列温度每增加 7~8℃,暗电流密 度增加一倍。 暗电流和暗电流噪声 CCD的暗电流在说明书中通常以以下三种方式给出:1)一定时间内的暗信号电子数;2)一定时间内暗信号的电压值;3)暗电流密度。 单位时间暗信号电子数的公式: 暗电流和暗电流噪声举例 CCD像元尺寸为12 ?m x 12?m, 300K 时暗电流密度10 pA/cm2 ,求出该CCD在 -10°C (263K), -50°C (223K) 和 -100°C (173K)时的暗电流 噪声和信噪比 光电响应模型 噪声和信噪比 噪声的类型 随机噪声(Random Noise): 时空域上随机变化,只能用统计特性描述; 图形噪声(Pattern Noise): 时域上不变,空域上变化。 噪声和信噪比 噪声和信噪比 噪声和信噪比 随机噪声 只考虑CCD芯片内 霰粒噪声 ?shot 复位噪声 ?reset 暗电流噪声 ?dark 放大器噪声 ?a 噪声和信噪比 霰粒噪声(Shot Noise) 霰粒噪声是与入射光子数随机变化有关的噪声,在给定时间内入射光子数服从帕松(Poisson)分布,霰粒噪声的均方根值(以电子数计) S为信号电子数。 暗电流噪声(ndark为暗电流电子数) 噪声和信噪比 热噪声 热噪声是白噪声; 电阻R上热噪声的均方根电压 k: 波尔茨曼常数,T:绝对温度,B:带宽 噪声和信噪比 噪声等效带宽(NEB) 噪声和信噪比 复位噪声 噪声和信噪比 输出放大器噪声 白噪声(White Noise): 输出放大器电阻的热噪声 噪声和信噪比 总随机噪声 总的随机噪声包括霰粒噪声、暗电流噪声、复位噪声和输出放大器噪声。 噪声和信噪比 信噪比 通常计算CCD信噪比时,只考虑时域上的随机噪声。因为空间分布的图形噪声是可以补偿的。为了严格起见,我们还是将这样计算的信噪比标注为SNRr,计算公式为: 噪声和信噪比 图形噪声( Pattern Noise) 固定图形噪声(FPN) 无照明时,像元与像元之间输出的变化,主要为各像元之间暗电流的

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