电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率.doc

物 理 学 报 第 47 卷 第 1 期 1998 年 1 月 100023290/ 98/ 47 (1) / 0139207 Vol . 47 ,No . 1 ,J anuary ,1998 ν 1998 Chin. Phys. Soc. AC TA P H YSICA SIN ICA 电致发光加速层二氧化硅的 电子高场迁移率 3 征1) 1) 2) 娄志东 徐 徐春祥 于 磊 滕 枫 徐叙 ( 天津理工学院材料物理研究所 ,天津 300191) 1) ( 北方交通大学物理系 ,北京 100044) 2) ( 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室 ,长春 130021) ( 1997 年 1 月 22 日收到 ;1997 年 4 月 4 日收到修改稿) 根据非晶态半导体的能带理论 ,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速 层中的电子在高电场中的输运行为. 研究结果表明 :在高电场下 ,由于电场的存在降低了陷阱 之间的平均势垒高度. 在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中 ,电子的输 运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导 ;而在导带扩展态中 ,电子的输运仍像晶态半导 体那样表现为共有化运动. 此外 ,以实验数据为基础 ,计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移 率 、最小金属电导率 、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度. PACC : 7860 F ; 7270 H ; 7125 M 引 言 1 无机薄膜电致发光是平板显示的一个重要分支. 在徐叙 等1 —3 提出的分层优化薄 膜电致发光方案中 ,以 SiO2 作为加速层 ,这不仅利用了 SiO2 的绝缘特性 ,而且也利用了 它的某些半导体特性. 许多实验表明 ,分层优化方案可以提高过热电子的能量 ,有利于增 强短波发射. 分层优化薄膜电致发光器件中的 SiO2 是非晶态的 ,其中存在大量的缺陷和杂质 ,它 的能带结构4 如下 :1) 能隙深处的定域态 ———材料中的杂质或无规网络中的缺陷 、悬挂 键 、空位等 ,在能隙中央处引起一未填满的定域能带 ,费密能级 EF 位于定域能带中. 2) 带 尾定域态 ———材料成分或拓扑学上的无序 ,势场的起伏使得价带顶及导带底附近的尾部 态成为定域态. 3) 扩展态 ———在能带中存在迁移率边 ( Ec 和 Ev ) , 把扩展态 ( E Ec 或 E Ev) 和定域态区分开 ,在能隙深处定域态及带尾定域态中 ,载流子进行跳跃式传导. 在 扩展态中 ,电子和空穴仍像晶态半导体中导带和价带中的自由载流子那样作共有化运动 , 且有一定的迁移率值. 王文静等4 的研究表明 ,在非晶 SiO2 加速层中导带扩展态和杂质或缺陷定域态对电 子在其中的输运过程起到了重要的作用. 在电场较低时 ,主要是注入电子的复合以及在定 3 国家自然科学基金及天津市 21 世纪青年基金资助的课题.  域能级之间的跳跃式传导 ;而在电场较高时 ,则可以出现杂质或缺陷能级上电子的离化 , 从而出现导带电子的传导. 要讨论 SiO2 中电子的传输过程 ,就应当知道电子的迁移率 ,它描述电场中电子的漂 移运动 ,取决于载流子的散射机理. 非晶 SiO2 中电子的高场迁移率 2 211 能隙深处定域态的跳跃传导 用作薄膜电致发光加速层的非晶 SiO2 中存在杂质. 对用杂质及高纯 SiO2 分别作加 速层的电致发光器件的传导电流与电压关系的研究表明 , SiO2 中是否存在杂质对电子加 速倍增是非常重要的5 . 图1 和图2 分别是用不同厚度的杂质及高纯 SiO2 膜作加速层 图 2 不同厚度高纯 SiO2 作加速层的电致发光器件 的传导电流与电压关系曲线 SiO2 厚度 : 曲线 a 为 20 nm ,曲线 b 为 40 nm ,曲线 c 为 60 nm 图 1 不同厚度杂质 SiO2 作加速层的电致发光器件 的传导电流与电压关系曲线 SiO2 厚度 : 曲线 a 为 30 nm ,曲线 b 为 50 nm ,曲线 c 为 70 nm 时 ,薄膜电致发光器件的传导电流2电压关系曲线. 图 1 中 ,对应着 a , b , c 三条曲线 ,随着 SiO2 厚度的增加 ,传导电流2电压曲线陡度有明显的增加. 这说明在杂质 SiO2 层中有明显 的电子倍增发生. 图 2 中 ,用高纯 SiO2 作加速层的器件的传导电流2电压曲线 ,并没有随 SiO2 层厚度的增加而变陡的现象 ,而只是向高电压的方向移动. 所以 ,高纯 SiO2 层在电致 发光器件中的作用仅是一个电介质层 ,起分压作用 ,而含杂质的 SiO2 作加速层时有明显 的电子倍增过程发生. 除杂质外 ,非晶 SiO