通用型IGBT变频电源的研制.docVIP

通用型 IGBT 变频电源的研制 Development of the General Inverter Using IGBTs 空 军 雷 达 学 院 吴保芳 罗文杰 姚国顺 (武汉 430010) 解放军通讯工程学院 王友军 (南京 210016) 摘要 :提出的 IGBT 通用变频电源 ,已完成了实用化和系列化 。详述了该装置的主电路 ,控制系统结 构 ,以及擎住效应 ,变压器偏磁的抑制方法 。给出了控制电路 、驱动电路 、保护电路的设计原则和单相 4kW 变频电源的主要技术指标 。 Abstract :The general inverter using IGBTs is presented ,of which the practice and series have been realized. The structure of the main circuit and control system as well as the suppression methods of the latch2up effect and biase of transformer are discussed in detail . The design scheme of control circuit ,drive circuit and protection circuit are de2 scribed. Mainly technical criterions of simple2phase 4kW inverter are given. 叙词 :正弦脉宽调制/ 擎住效应 偏磁 绝缘栅双极晶体管 变频电源 Key words :SPWM ;latch - up effect ; biase ; IGBT; inverter 引 言 1 目前 ,一些设备仍沿用传统的 400 Hz 变频 机组供电 ,具有笨重 、效率低 、噪声大 ,动态品质 差 、输出波形差等缺点 。用静止变频电源取代 它是发展的必然趋势 。早期的晶闸管静止变频 电源虽然克服了变频机组的许多缺点 ,但晶闸 管的关断依赖负载或附加的关断电路 ,控制复 杂 ,动态性能不理想 ,在技术性能上很难有新的 突破 。本文提出的变频电源 ,从根本上克服了 上述弊端 ,是一种性能优良的静止变频电源 。 2 主电路和系统控制结构 2. 1 变频电源的主电路结构 主电路结构如图 1 所示 。J S 为软启动控 制 ,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击 。 图 2 主电路输出 SPWM 脉冲波频谱图 输出滤波网络采用常 K 型两元件低通滤波 。滤波元件 L 、C 的参数按下式选取 : 器5 L = R/ (πf c ) C = 1/ (πf c R) 式中 f ———通带的高截止频率 (1) (2) c R ———滤波器的特性阻抗 2. 2 系统的控制结构 系统控制结构如图 3 所示。电流环作为输 出电压控制环的辅助环 ,能成功地限制逆变器 的输出电流 ,以防止逆变器过载 ,提高系统稳定 性 。 图 1 主电路结构 采用工业上比较流行的 SPWM 控制策略 。 由于载波频率的高频化 , SPWM 脉冲波的第一 组谐波中心向高频端迁移 ,距基波频率甚远 ,如 图 2 所示 。这就使得输出滤波网络得以小型轻 量化 ,动态品质也得以改善 。 图 3 系统控制框图 Uge ———电压给定 Upc ———偏磁校正 Igd ———电流给定 Uxl ———限流给定 图中  52 《电力电子技术》1998 年第 4 期 1998. 11 Uc ———正弦波控制电压 3 擎住效应及防护技术[ 1 ,2 ] 3. 1 擎住效应 IGBT 由四层 PNPN 组成 ,内部形成一个寄 生晶闸管 , 有可能由于再生作用而发生擎住 。 IGBT 的擎住效应有两种模型 : 稳定导通时的静 态擎住及关断时产生的动态擎住 。 3. 2 静态擎住效应 IGBT 的等效电路如图 4a 所示 。α1 、α2 分 别是 VT1 和 VT2 的电流放大系数且为电压电流 的函数 。如果α1 增大 ,通过 P 基区的空穴电流 Ih 也增大 , 当 Up = Ih Rp 0 . 7V 时 , NPN 管开 通 ,VT1 、VT2 发生正反馈 。已知当 α1 + α2 = 1 时 ,IGBT 被擎住 ,栅极失去控制作用 。IGBT 将 发生破坏性损坏 。 3. 3 动态擎住效应 考虑结电容的等效电路如图 4b 所示 , IGBT 在关断时 J 2 结因反偏几乎承受着全部高压 。 结电容 Cj2 影响最大 , 仅考虑 Cj2 的影响 。重加 d v/ d