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使用 L-Edit 画PMOS 布局图
一、实验目的
1、熟悉版图设计工具L-Edit 的使用方法;
2、能运用L-Edit 实现器件的布局图;
二、基本原理
1、CMOS 器件的制作工艺
2、PMOS 器件和NMOS 器件的版图
PMOS 器件的版图
NMOS 器件的版图
3、L-Edit 使用的注意事项
(1)L-Edit 编辑环境是预设在P 型基板上,故在P 型基板上制作PMOS 的第一步是需要做
出N Well 区,即需设定N 阱区;
(2)改变图形大小的方法:“alt+鼠标拖动边框”;移动图形的方法“alt+鼠标拖动图形”;
(3)绘制各图层之前需先通过Tools---DRC Setup 查看对应的设计规则,从而选择确定图层
的大小;绘制完一个图层都需DRC 进行设计规则检查;
(4)各图层绘制无先后顺序的规定;
( 5 ) 绘图时可适当使用“ 尺子” 功能: ; 清除图中的“ 尺寸” 使用
“View---Objects---Rules”;
三、实验内容及步骤
(1) 打开L-Edit 程序。
(2) 另存新文件:选择File---Save As 命令,打开“另存为”对话框,在“保存在”下
拉列表框中选择存储目录,在“文件名”文本框中输入新文件名称,例如,exp3。
(3) 取代设定:选择File---Replace Setup 命令,单击出现的对话框的From file 下拉列
表右侧的Browser 按钮,选择…:\LEdit83\Samples\SPR\example1\lights.tdb 文件,再单击OK
按钮,就可将lights.tdb 文件的设定选择性应用在目前编辑的文件,包括格点设定、图层设
定等。
(4) 编辑组件:L-Edit 编辑方式是以组件(Cell)为单位而不是以文件(File)为单位的,每
一个文件可有多个Cell,而每一个Cell 可表示一种电路布局图或说明,每次打开新文件时
自动打开一个Cell 并将之命名为Cell0,其中,编辑画面中的十字为坐标原点。
(5) 设计环境设定:选择Setup 命令,打开 Design 对话框。在Technology 选项卡中
设定1 个Lambda 为1000 个Internal Unit, 也设定1 个Lambda 等于1 个Micron;选择Grid
选项卡,其中包括使用格点显示设定、鼠标停格设定与坐标单位设定,在Grid display 选项
组中设定1 个显示的格点(Displayed grid)等于1 个坐标单位(Locator unit), 在Suppress grid
less than 文本框中设定当格点距离小于8 个像素(pixels)时不显示;在Cursor type 选项中设
定鼠标光标显示为Smooth 类型,在Mouse snap grid 文本框中设定鼠标锁定的格点为0.5 个
坐标单位(Locator Unit),在One Locator Unit 文本框中设定1 个坐标单位为1000 个内部单
位(Internal Units)。
设定结果为 1 个格点距离等于1 个坐标单位也等于1 个Micron。
(6) 选取图层:在画面左边有一个Layers 面板,其中有一个下拉列表,可选取要绘制
的图层,例如,Poly,则Layers 面板会选取代表Poly 图层的红色。在L-Edit 中的Poly 图
层代表制作集成电路中多晶硅(Poly Silicon)所需要的光罩图样。绘制PMOS 布局图会用到
的图层包括(N Well 图层)、(Active 图层)、(N Select 图层)、(P Select 图层)、(Poly 图层)、(Metal1
图层)、(Metal 2 图层)、(Active Contact 图层)、(Via 图层)。
(7) 绘制N Well 图层:L-Edit 编辑环境是预设在P 型基板上,故不需要定义出P 型基
板范围。在P 型基板上制作PMOS 的第一步流程要先做出N Well 区,即需要设计光罩以
限定N Well 的区域。绘制N Well 布局图必须先了解是使用哪种流程的设计规则,本设计使
用MOSIS/ORBIT 2.0U 的设计规则。观看N Well 绘制要遵守的设计规则可选择Tools---DRC
Setup 命令,打开Setup Design Rules 对话框(或单击按钮),再从其中的Rules list 列表框选
择1.1 Well Minimum Width 选项,可知N Well 的最小宽度有10 个Lambda 的要求。
选取 Layers 面板下拉列表中的N Well 选项,再从Drawing 工具栏中选择工具,在Cell0
编辑窗口画出占据横向24 格纵向15 格的方形N Well,如下图所示。
(8) 截面观
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