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基于0.13μm SOI COMS工艺的VCSEL驱动器设计 潘彦君 孙向明 黄光明 叶竞波 龚达涛 董业民 杨文伟 杨苹 华中师范大学像素实验室 X 关注成功！ 加关注后您将方便地在 我的关注中得到本文献的被引频次变化的通知！ 新浪微博 腾讯微博 人人网 开心网 豆瓣网 网易微博 摘????要： 介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺, 能提供68mA可调调制电流及47mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术, 用以拓展带宽。测试结果表明, 该电路在1.2V单电源工作电压下, 最高工作速率可达5Gbit/s, 总功耗仅为48mW。 关键词： 绝缘衬底上的硅 (SOI) ; 激光驱动器; 并联峰化; 高速; 低功耗; 作者简介：潘彦君 (1991-) , 女, 湖北武汉人, 硕士生, 主要从事模拟集成电路设计, 在校期间从事激光驱动器的设计。 作者简介：孙向明 (1981-) , 男, 山东潍坊人, 教授, 博士生导师, 主要从事像素探测器的设计与研究。 收稿日期：2017-03-14 基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 (CCNU16A05029) Design of VCSEL Driver Based on 0.13μm SOI COMS Process PAN Yanjun SUN Xiangming HUANG Guangming YE Jingbo GONG Datao DONG Yemin YANG Wenwei YANG Ping Pixel Laboratory at CCUN, Central China Normal University; Abstract： The design of low power high speed Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) driver is introduced in this paper.The chip is designed based on the domestic 0.13μm SOI COMS process which can provide 68 mA adjustable modulation current and 47 mA adjustable bias current.The multi-stage amplifier combined with passive shunt peaking inductor is used to expand the bandwidth of the driver.The test results show that the maximum operating rate of the driver is 5 Gbit/s and the total consumption is only 48 mW under the single power supply voltage of 1.2 V. Keyword： silicon-on-insulator (SOI) ; laser driver; shunt peaking; high speed; low power; Received： 2017-03-14 0 引言 当今社会, 随着信息技术的高速发展, 光纤通信已在通信系统中得到了广泛应用。光纤通信是以光为载波, 以光纤为传输介质的一种通信方式, 该方式具有无信号串扰、无需考虑阻抗匹配等优势[1-2]。然而, 作为光电转换的激光驱动器, 其速率直接制约着光纤两端信号收发电路的信息传输速度, 如何提高激光驱动器的速率、降低其功耗及生产成本对其商业推广应用有着深远的意义。另一方面, 光纤通信系统不仅应用于日常生活, 也在高能物理实验、核医疗器械等其他领域中发挥着重要作用, 但光纤系统需要一定的抗辐照能力, 如何解决这一问题, 成为光纤通信是否能够应用于辐照系统中的关键[3]。在此背景下, 本文采用国产0.13μm SOI CMOS工艺, 设计出驱动速率达5Gbit/s的低功耗垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 激光驱动芯片。相对于传统互补金属氧化物半导体 (CMOS) 体硅工艺, 绝缘衬底上的硅 (SOI) 工艺具有无闩锁效应、速度快和抗辐照等特点。本文介绍的电路设计具有一定的抗辐照能力, 对其在高能物理实验等辐照环境下的应用具有参考意义。 1 SOI CMOS工艺 SOI是集成电路在步入纳米技术时代后, 能突破体硅技术和硅集成电路限制的新型集成电路技术, 被誉为“21世纪的硅技术”