北京力诺桑普电池片生工艺.docVIP

扩散（phosphorus diffusion） 这里所说的扩散是一个笼统的概念，它的工艺流程包括结扩散(phosphorus diffusion of emitter)氧化(oxidation)(干氧氧化dry oxidation、湿氧氧化 wet oxidation) 槽扩散（phosphorous diffusion of grooves）和烧结（背场）high temperature sinter(back surface field)四个部分。扩散工艺的四个工艺流程均是在扩散炉内完成的。 管扩散炉的一般操作规程： 开机顺序： 和总电源开关（２）把设备炉体正面的总开关置于“ON”位置（３）总电源正常供电时排风扇、程探器开关都正常供电运行（４）检查没一炉管温控定值器是否为所须值，，打开温控器开关（５）打开炉体加热开关（６）关炉顺序于开炉顺序相反 温度定值调节器使用说明 该炉体有四个炉管，自上而下分别是槽扩散炉管、结扩散炉管、氧化炉管和烧结炉管，其温度定值器自右至左依次对应。操作时，按照规定的温度，拨盘定值。 温度监控器的使用说明 指示灯：当温度为正常温度时为绿色，当超温时为红色，达到温度时，指示灯不断闪烁。 结扩散（phosphorus diffusion of emitter） 结扩散概述：在整个硅片表面形成比较均匀一致的p—n结。结扩散的薄层电阻是获得良好的填充因子和较好的短波相应折中考虑。薄层电阻较小，有利于填充因子，但电池的短波会相应降低。一般经验数值表明，薄层电阻的范围在80-300之间，理想的薄层电阻在100-200之间，在其后的高温处理工艺中，电阻还会进一步降低。在整个工艺过程中，洁净度是至关重要的，否则会影响表面复合速度。　 结扩散工艺条件 　　　　炉温：865摄氏度　时间：饱和炉管30分钟，然后沉积30分钟。大氮480毫升每分　小氮500毫升每分　氧气400毫升每分　薄层电阻100-150欧姆　结深　0.4-0.6um炉温必须在达到870摄氏度时进行饱和。 注意事项 每天在做扩散之前，必须饱和炉管30分钟。 在作正式片之前，要做样片。 为保持电池质量，防止硅片弯曲，硅片进出炉温度820摄氏度，硅片进炉前在炉口预热5分钟。 结扩散工艺操作过程 为保持源恒定，每天早上对三氯化氧磷加冰。 调节温度定值调节器。 调节大氮流量至480毫升每分。 观察炉温偏差指示表头，等待炉温恒定，指针指 到中间位置，表示炉温恒定。 把炉温调至865摄氏度，等待炉温恒定。 饱和炉管：检查大氮流量为480毫升每分，把氧气流量调至400毫升每分，开启小氮，流量 为500毫升每分。开源，30分钟。 饱和时间到后，关源。 炉温调至820度，等炉温恒定做样片。 取下炉口的挡板，石英帽头，缓慢的用石英钩 把石英舟拉至炉口，把石英舟放到石英凳上，把待扩散样片放到石英舟上，石英舟放道炉口预热５分钟，缓慢的把石英舟推至恒温区，戴上石英帽，盖上挡板。 　　　　　１０、调节炉温至865摄氏度，待炉温恒定。 　　　　　１１、检查气体流量，开源。时间，30分钟。 　　　　　１２、降温，时间到后，把炉温降至820摄氏度，把石英舟缓慢拉至炉口，把石英舟放置石英凳上，取样片，用四探针电阻箱测样片薄层电阻，样片合格，作正式片。 　　　　　１３、装片说明：选择硅片比较好的一面为结扩散面，把两个待扩散的硅片背靠背放置于一个槽内，扩散面朝外。 　　　　　１４、注意事项：扩散洁净是关键，每次操作都要戴手套、口罩、工作帽，穿工作服。硅片放入恒温区，要与炉子同心，硅片不要太靠近炉壁，否则会影响硅片的均匀性，一般前后左右都要放置挡片，以保证正式挡片的均匀性。 氧化（oxidation）　 概述：１、氧化时起到结扩散后再分布的作用。 　　　２、氧化层有钝化保护作用。 　　　３、具有掩蔽选择扩散的作用。 氧化工艺条件 氧化工艺分为干氧氧化（dry oxidation）和湿氧氧化（wet oxidation） 炉温调至980摄氏度干氧10分钟＋湿氧90分钟＋干氧20分钟　水温95-98摄氏度氧化层厚度3700埃。 工艺操作过程 调节炉温至820度，待炉温恒定。 清洗水瓶，把水瓶从加热器上取下，在去离子水龙头下冲洗10分钟，在水瓶中装上三分之二的去离子水。放于加热器上，接通电源加热，待温度至95-98摄氏度。 装片：每槽内装一片。 在炉口预热5分钟，时间到后，将石英舟缓慢推如恒温区。 把炉温升至980摄氏度，炉温稳定后，关掉氮气，开启氧气。干氧一直开，10分钟后，接通湿氧，流量为3升每分。 关掉湿氧，20分钟后关掉干氧 开氮气，流量为４升每分。 把炉温降至820摄氏度，出炉，把石英舟缓慢缓慢拉出恒温区，把硅片装入承片盒，待刻槽。 槽扩散（phosphorus diffusion o