晶核的形成和成长晶核的形成和成长.ppt

二.非均匀形核 表面张力平衡： 也就是说,非均匀形核的形核功与均匀形核的形核功之间只相差一个形状因子S(θ). 0≤ S(θ) ≤1. 当θ=0时, S(θ)=0, =0, 说明外来质点表面是现成 的晶核的晶面,新相可在此表面上自由生长; 当θ=10 °时, S(θ)=10-4, 非均匀形核的临界形核功较之 均匀形核微不足道; 当θ=30 °时, S(θ)=0.02,非均匀形核的临界形核功较之 均匀形核仍然很小; 当θ=90 °时, S(θ)=0.5; 当θ=180 °时, S(θ)=1,非均匀形核与均匀形核的形核功 相同,说明外来质点没有促进形核的作用,非均匀形核不能进 行. 衬底形状 对非均匀形核的影响 在相同的物质衬底上,具有相同的曲率半径和润湿角,由于三个衬底形状不同,所形成的晶核包含的原子数不一样.可见促进非均匀形核的能力随界面曲率的方向和大小的不同而异. 形核能力依次为: 凹界面衬底平面衬底凸界面衬底 另外,对凹界面衬底而言,促进非均匀形核的能力,随界面曲率增大而增大;对凸界面而言,则随界面曲率的增大而减小. 非均匀形核的晶核形成功的大小主要取决于S(θ), 而起决定 作用的是球冠晶胚与异质固相衬底之间润湿角θ的大小, θ越小 越有利,由于θ的确定很困难,所以固体质点能否作为新相衬底,一 般遵循以下两个规律: (1)固体质点的原子与新相质点的原子之间具有较大的 结合力,或者键能较强; (2)质点可作为衬底的表面的原子排列规律和间距与新 相相近,即接近界面共格对应原则.一般认为要接近共格原则, 对于金属晶体与衬底对应界面上原子间距差不能超过9%, 其中,d 为新相表面的原子间距 由公式 可知 均匀形核与非均匀形核的联系与区别: (1)两者在热力学处理方法上是相同的,能量起伏和相 起伏是均匀形核的必要条件,也是非均匀形核的必要条件; 熔体的过冷度△T,对两种形核方式都是驱动力; 第二节晶核长大 一.液-固界面的微观结构 粗糙界面——L-S原子并不完全分离，排列高高低低，粗 糙不平。 光滑界面：L-S原子分开，排列成平整的原子平面。 二.晶核的长大方式 垂直长大方式 二维晶核长大方式(平整界面长大方式) 晶体缺陷生长方式 三.温度梯度对晶体生长的影响 粗糙界面 正温度梯度：平面状生长 负温度梯度：枝晶生长 为什么会形成这样的形态？ * *