嵌入式系统设计PPT电子课件教案-第四章 存储系统设计.pptVIP

嵌入式系统设计 天津大学计算机学院 车明 当一种新技术出现时，人们习惯上总是将其按传统方式分类，闪存就是如此。其分类方法也有多种意见，不过我们只要了解其特点，不必过于拘泥分类。 铁电存储器(FRAM)是第一个非易失性的RAM存储器。它结合了SRAM和DRAM易写入的特性，又具有Flash和EEPROM得非易失性的特点。铁电存储器在性能方面与EEPRON和Flash相比有三点优势之处: 首先，铁电存储器的读写速度更快。与其它存储器相比，铁电存储器的写入速度要快10万次以上。读的速度同样也很快，和写操作在速度上几乎没有太大的区别。其次，FRAM存储器可以无限次擦写，而EEPROM则只能进行100万次的擦写。最后，铁电存储器所需功耗远远低于其他非易失性存储器。 位于麦迪逊市的美国威斯康星大学的科学家们成功地研制出一种原子级存储器，用硅原子取代了目前计算机使用的二进制1和0数据存储方式。这篇发表在《纳米技术》杂志上的论文，标志着原子存储器走向实际应用的第一步，原子将代表比特，构成文字、图像及机读代码等信息。威斯康星科学家的工作证明了原子级存储器的可行性，并且为探索数据存储的基本限制提供了一个平台。但是技术的最终实现还需假以时日，目前明显的缺点是存储器只能在真空的环境下构建出来，并且在写入数据时必须用到