版图设计培训_雷鉴铭.pdfVIP

版图设计基础 雷鑑铭 博士 武汉集成电路设计工程技术研究中心 华中科技大学电子科学与技术系 国家集成电路人才培养基地 武汉集成电路设计工程研究技术中心 2005年6月 版图设计 • CMOS集成电路中的元件 • 版图设计规则(Topological Design Rule) • 版图设计准则(‘Rule’ for performance) • 版图电路分析（以COMPASS 自带的 1.2um CMOS标准单元库为例） 武汉集成电路设计工程研究技术中心 第一课 武汉集成电路设计工程研究技术中心 CMOS集成电路中的元件 • MOS晶体管 – 版图和结构 – 电特性 – 隔离 – 串联和并联 • 连线 • 集成电阻 • 集成电容 • 寄生二极管和三级管 武汉集成电路设计工程研究技术中心 CMOS集成电路中元件 • MOS晶体管 • 连线 – 连线寄生模型 – 寄生影响 • 集成电阻 • 集成电容 • 寄生二极管和三级管 武汉集成电路设计工程研究技术中心 CMOS集成电路中元件 • MOS晶体管 • 连线 • 集成电阻 – 多晶硅电阻 – 阱电阻 – MOS 电阻 – 导线电阻 • 集成电容 • 寄生二极管和三级管 武汉集成电路设计工程研究技术中心 CMOS集成电路中元件 • MOS晶体管 • 连线 • 集成电阻 • 集成电容 – 多晶硅-扩散区电容 – 双层多晶硅电容 – MOS 电容 – 多层“夹心” 电容 • 寄生二极管和三级管 武汉集成电路设计工程研究技术中心 CMOS集成电路中的元件 • MOS晶体管 • 连线 • 集成电阻 • 集成电容 • 寄生二极管和三级管 – 衬底PNP BJT – PSD/NWELL Diode – NSD/P-epi Diode 武汉集成电路设计工程研究技术中心 MOS 晶体管 • MOS晶体管 – 最基本的有源元件 – 在CMOS工艺中，有PMOS和NMOS两 种 – 可用作跨导元件，开关，有源电阻， MOS 电容 武汉集成电路设计工程研究技术中心 MOS 晶体管 • NMOS晶体管的 D G S B 版图和结构 W D L G B NMOS晶体管版图 G S