F2812外部扩展RAM.docVIP

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F2812外部扩展RAM

F2812外部扩展RAM 作者:superchengmin 最近在写一个比较大的程序,突然发现2812内部RAM不够用,无奈之下只好在外部扩展RAM。为了彻底够用,一口气扩展了块512K的SRAM于区域ZONE2,型号为IS61LV51216-10T。现在将具体内容介绍下,仅供大家参考。 连接电路图 布线时数据线和地址线应该尽量等长,RAM尽量靠近DSP,减小外部干扰。地址线没必要一一对应,为了方便布线可以适当颠倒顺序。在上图中RAM的A18与DSP的XA15相连,而RAM的A15与DSP的XA16连接,并不会影响正常工作。 2. 软件部分 软件部分主要是编写两个文件:DSP281x_Xintf.c(时序配置)和CMD。 2.1 时序配置文件 当与特定外部设备连接时,需要调整XINTF信号的时序,如读写操作的建立和保持时序。这些时序参数可以通过每个区域的XTIMING寄存器独立配置,每个区域也可以选择是否使用XREADY信号进行采样,用户可以根据访问的存储器,最大程度的提高XINTF的效率。 如果XREADY信号被屏蔽(USEREADY=0),需要满足下列条件: 引导部分:LR=tc(xtim) LW=tc(xtim) 注:tc(xtim)为周期时间,XTIMING。 如果XREADY信号设置为同步采样模式(USEREADY=1,READYMODE=0),需要满足下列条件: 引导部分:LR=tc(xtim) LW=tc(xtim) 激活部分:AR=2×tc(xtim) AW=2×tc(xtim) 如果XREADY信号设置为异步采样方式时(USEREADY=1,READYMODE=1),需要满足下列条件: 引导部分:LR=tc(xtim) LW=tc(xtim) 激活部分:AR=2×tc(xtim) AW=2×tc(xtim) 引导+激活:LR+AR=4×tc(xtim) LW+RW=4×tc(xtim) 具体介绍请参考图书TMS320F2812原理及其C语言程序开发(作者孙丽明,清华大学出版社)的128~129页。 以下是我写的DSP281x_Xintf.c: #include DSP281x_Device.h // DSP281x Headerfile Include File #include DSP281x_Examples.h // DSP281x Examples Include File // void InitXintf(void) { #if DSP28_F2812 // All Zones // Timing for all zones based on XTIMCLK = 1/2 SYSCLKOUT XintfRegs.XINTCNF2.bit.XTIMCLK = 1; // No write buffering XintfRegs.XINTCNF2.bit.WRBUFF = 0; // XCLKOUT is enabled XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKOFF = 0; // XCLKOUT = XTIMCLK/2 XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKMODE = 1; // Zone 2 // When using ready, ACTIVE must be 1 or greater // Lead must always be 1 or greater // Zone write timing XintfRegs.XTIMING2.bit.XWRLEAD = 3; //minimum value is 1 XintfRegs.XTIMING2.bit.XWRACTIVE = 7; //minimum value is 0 XintfRegs.XTIMING2.bit.XWRTRAIL = 3; //minimum value is 0 // Zone read timing XintfRegs.XTIMING2.bit.XRDLEAD = 3; //minimum value is 1 XintfRegs.XTIMING2.bit.XRDACTIVE = 7; //minimum value is 0 XintfRegs.XTIMING

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