BaSnO3陶瓷结构及电性能的研讨.pdfVIP

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct2005 Science V01．42Issue2 第42卷增刊2 ofSichuan Edition) Journal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)022—0193—04 BaSn03陶瓷结构及电性能的研究 王正宇，周方桥，陈志雄 (广州大学物理与电子工程学院，广州510405) 反应法，制备出了相对密度迭97％～99％，平均粒径约为8“m的BaSn03半导体陶瓷．采用 a巩和Mn(N03)2复合掺杂，可以使BaSh％陶瓷的电阻率显著增大，且晶界电阻远远大于晶粒 电ItJt；Mn(N03)2掺杂为lmol的BaSnOa陶瓷，电阻率迭3．3X1060cm，晶粒电阻率为4．30 cm，经电导激活能测试，估算出其晶界势垒约为0．5ev